03材料的电学性能7.pptVIP

铁电薄膜作为一大介电常数的电容介质 利用铁电体大的介电常数(ε=100-2000)，代替原来用的SiO2(ε=3.9），可以减小存储单元面积。 SiO2~4, Ta2O5~25, Ferroelectrics~100-1000 铁电体大的介电常数可缓解为增大面积而进行的 Trenching ,stacking 铁电存储器 铁电动态随机存取存储（DRAM） Dynamic Random Access memory 铁电存储器（MFSFET） MFS(Metal Ferroelectric –Semiconductor )FET 在MOS中用铁电薄膜（F）代替二氧化硅栅氧化物薄膜（O）构成MFSFET场效应管 由于极化滞后，漏电流展现两种状态：开，关 读写过程不需要大电场，在读后也不需重写。设计简单。 11.3 材料的压电性能与铁电性能 第一节 压电性能 第二节 热释电与铁电性能 第三节 铁电材料的电光效应及其应用 第四节 影响材料压电性与铁电性的因素 3 压电性能 3.1 压电效应的基本原理 压电效应基本概念 由机械应力作用使电介质晶体产生极化并形成晶体表面电荷的现象 压电效应基本原理 晶体不受外力作用，正、负电荷的中心重合，因而晶体表面无荷电． 对晶体施加机械力时，晶体会发生因形变而导致的正、负电荷中心不重合，引起晶体表面的荷电 3.1.1 正压电效应、 逆压电效应 具有压电效应的晶体，电场的作用引起晶体内部正负电荷中心的位移，导致晶体发生形变 沿一定方向受力； 选定压电介质； 强调 正压电效应(顺压电效应)： 机械能 转换 电能 正压电效应演示 （b） （a） 3.1.1 正压电效应、 逆压电效应 逆压电效应(电致伸缩效应)： 机械能 转换 电能 压电效应具有可逆性。 压电介质 正压电效应 电能 机械能 逆压电效应 3.1.1 正压电效应、 逆压电效应 3 压电性能 3.1.2 压电性能的主要参数 1 介电常数 反映材料的介电性质（或极化性能） 2 介质损耗 表征介电发热导致的能量损耗 3 弹性系数 压电体是一个弹性体，服从虎克定律 4 压电常数 机械能转变为电能或电能转变为机械能的转换系数 5 机械品质因数 表征谐振时因克服内摩擦而消耗的能量 6 机电耦合系数 表征机械能与电能相互转换能力 1、压电常数d33 压电常数是反映力学量（应力或应变）与电学量（电位移或电场）间相互耦合的线性响应系数。 当沿压电陶瓷的极化方向（z轴）施加压应力T3时，在电极面上产生电荷，则有以下关系式： 式中d33为压电常数，下标中第一个数字指电场方向或电极面的垂直方向，第二个数字指应力或应变方向；T3为应力；D3为电位移。 它是压电介质把机械能（或电能）转换为电能（或机械能）的比例常数，反映了应力（T）、应变（S）、电场（E）或电位移（D）之间的联系，直接反映了材料机电性能的耦合关系和压电效应的强弱，从而引出了压电方程。常见的压电常数有四种：dij、gij、 eij、 hij。 2、机电耦合系数Kp 机电耦合系数K是一个综合反映压电陶瓷的机械能与电能之间耦合关系的物理量，是压电材料进行机—电能量转换能力的反映。机电耦合系数的定义是： 或 压电陶瓷振子（具有一定形状、大小和被覆工作电极的压电陶瓷体）的机械能与其形状和振动模式有关，不同的振动模式将有相应的机电耦合系数。 如对薄圆片径向伸缩模式的耦合系数为Kp（平面耦合系数）； 薄形长片长度伸缩模式的耦合系数为K31（横向耦合系数）； 圆柱体轴向伸缩模式的耦合系数为K33（纵向耦合系数）等。 它是压电材料进行机-电能量转换的能力反映。它与材料的压电常数、介电常数和弹性常数等参数有关，是一个比较综合性的参数。其值总是小于1。 3、机械品质因数Qm 压电陶瓷在振动时，为了克服内摩擦需要消耗能量。机械品质因数Qm是反映能量消耗大小的一个参数。Qm越大，能量消耗越小。机械品质因数Qm的定义式是： 其中： fr为压电振子的谐振频率 fa为压电振子的反谐振频率 R为谐振频率时的最小阻抗Zmin（谐振电阻） C0为压电振子的静电容 C1为压电振子的谐振电容 4、频率常数N 对某一压电振子，其谐振频率和振子振动方向长度的乘积为一个常数，即频率常数。 N=fr×l 其中： fr为压电振子的谐振频率； l为压电振子振动方向的长度。 薄圆片径向振动 Np=fr×D 薄板厚度伸缩振动 Nt=fr×t 细长棒K33振动 N33=fr×l 薄板切变K15振动 N15=fr×lt D为圆片的直径 t为薄板的厚度 l为棒