用于太阳电池吸收层CuInS2薄膜的RF反应溅射制备及其表征.pdfVIP

第25卷第1期 太阳能学报 V01．25．№．1 2004年2月 ACTA FNERGIAESOLARISSINICA Feb 2I】(}4 文章编号：0254．0096【2004)01，0123—04 用于太阳电池吸收层CuInS2薄膜 的RF反应溅射制备及其表征 邵乐喜1，张昆辉2，黄惠良2 湛江师范学院信息科技学院，湛江524048；2台湾清华大学电子工程研究所，台湾新竹300) 摘要：该文报道采用射频反应溅射技术，以铜银台金为靶材、心s为反应气体，在s。daLime玻璃衬底上沉积高 质量CuIn是薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射x射线谱、x一射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品 的结构形貌和组成成分等特性进行了分析表征，研究了这些特性对沉积参数的依赖关系。通过对溅射功率、衬底温度 和H2s流量等工艺参数的优化，获得了单一黄铜矿相结构且沿单一晶向(112)生长的高质量富铜薄膜．晶粒线度达 400nm，薄膜中成分的匣子比[cu+In]／[s]和[cu]／[Cu+Jn]可分别接近于1和05，并对结果进行了简单讨论。该 技术成本低廉、可靠性高，适台于高教太阳电池吸收层薄膜的高均匀度大面积沉积，具有规模化工业生产的推广价 值。 关键词：cuInS2薄膜；射频(RF)反应溅射；太阳电池 中图分类号：TM615 文献标识码：B 作利用RF反应溅射技术制备CuInS2薄膜，研究沉 O 引 言 积薄膜的成分与结构等特性及其对工艺参数的依赖 三元化合物半导体cuInS2(cIs)由于具有与 关系，并对结果进行简单讨论。 太阳光谱非常匹配的直接宽带隙(1．55ev)和对 1实验 可见光的高吸收系数(10’cm。1)而成为最具潜力 的高效薄膜太阳电池吸收层材料，该材料还因不含 研究样品在RF(13．4MHz)磁控溅射系统中沉 明显毒性成分而对环境友好。虽然目前已经发展有 积获得。以直径2”、厚3mm的纯铜铟合金(Cu／In 多种关于CIS薄膜的制备方法，如单源蒸发11J，共 =1．02／0 98)为靶材，soda1ime玻璃为衬底，= 蒸发【“，金属前驱体硫化f31，化学气相沉积o“，溅者间距约为100mm。衬底在装入反应室前，先后 射[5】电镀‘“，喷涂热解[71和快速热退火[8-等，但目 分别进行了丙酮、甲醇和去离子水的超声清洗，清 前仍存在着对薄膜组成成分的配比不易优化和对其 洗完毕后用氮气吹干。反应气体为硫化氢(H，s， 结构与性能不易控制的问题，由之制造的电池转换 99．99％)和氩气(Ar，99999％)的混合物。沉 效率仍不理想。因此，发展并完善高质量cIs薄膜 积系统的真空通过前级机械泵和次级涡轮分子泵的 的制备技术，并实现对组成成分和材料学特性的有 6 无油系统获得，基础真空为1×10T。m样品沉 效控制，从而改进其光电性能和提高电池的转换效 积前，用Ar等离子体溅射靶材表面5min以去除 率，成为当前该领域面临的重大课题。 污染物。为有效获得沉积薄膜的成分和结构特性与 射频(RF)反应溅射能够通过反应气体的流工艺参数间的关系，经过工艺参数的优化，只选取 量比方便而有效地大幅度调变多元化合物薄膜的化 反应气体流量比和衬底温度为可变参数，而固定 学成分比，同时还兼有工艺简单可靠和成本低廉的 RF溅射功率、总气压和沉积时间分别为100w、 特点，并可方便地进