【2017年整理】三习题和答案.docVIP

第三章习题和答案 1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。 费米能级 费米函数 玻尔兹曼分布函数 1.5k0T 0.182 0.223 4k0T 0.018 0.0183 10k0T 4. 画出-78oC、室温（27 oC）、500 oC三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。 y=(1.38065e-23)*(273.15-78)*log(1./x-1);(图中红色) y=(1.38065e-23)*(273.15+27)*log(1./x-1); （图中粗蓝色） y=(1.38065e-23)*(273.15+300)*log(1./x-1); （图中细蓝色） 5. 利用表3-2中的m*n，m*p数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC , NV以及本征载流子的浓度。 Ge：Nc=1.05×1019cm-3 Nv=5.7×1018cm-3 Ni=2.0×1013cm-3 Si：Nc=2.80×1019cm-3 Nv=1.1×1019cm-3 Ni=7.8×109cm-3 GaAs: Nc=4.5×1017cm-3