采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例.pdfVIP

采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例.pdf

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采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例.pdf

EM违例 蔡琰,季昊,施建安 (英伟达半导体科技(上海)有限公司,上海201210) 摘要:电源电子迁移(Power Electromigration,Power Grid 网格分析时,由于在每个标准单元的电源网格视图(Power (t印),从而流入每个标准单元的电流都聚集到一点。但对于大尺寸标准单元,电流实际上是分布到各个接触孔而非 集中到一点,因此PowerEM结果比实际情况悲观很多。本文描述了一种新的方法,即只对在关键路径上使用并具有 得PowerEM准确性得到提高。 关键词:电源电迁移;电源格点视图;Voltus 中图分类号:TN402 文献标识码:A EM违例【J】.电子技术应用,2016,42 中文引用格式:蔡琰,季吴,施建安.采用Muh—tap标准单元PGV以获取精准的Power (8):25—27. of standardcellPGVto accurateEM 英文引用格式:CaiYan,JiHao,Shi capture power Jian’an.Applicationmulti-tap ofElectronic Apphcafion Technique,2016,42(8):25-27. of standardcellPGVto accurateEM Applicationmulti-tap capture power Cai Jian’an Yan,JiHao,Shi 201210,China) (NVIDIA,Shanghai Abstract:Power all rolein Voltusrail Electromigration(EM)checkplays importanthishperformancechipdesign.In Power currentofeachstandardcellclusterstoone sincethereis one extracteddefault standardcell Grid point only tap by during inthereal standard currentdistributestoallcontactsinsteadof to wodd,for cells,the View(PGV)generation.Butlarge clustering Voltus EMresetismuchmore than describesamethodto one.Therefore,the reality.This onlygenerate power pessimistic paper PGVfor clockcellswhi

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