NAND FLASH ECC校验原理及实现.pdfVIP

ECC 简介 由于NAND Flash 的工艺不能保证NAND 的Memory Array 在其生命周期中保持性能 的可靠，因此，在NAND 的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在 应用NAND Flash 的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比 较可靠的进行坏区检测。 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash 出错的时候一般不会造成整 个Block 或是Page 不能读取或是全部出错，而是整个Page （例如512Bytes ）中只有一个 或几个bit 出错。 对数据的校验常用的有奇偶校验、CRC 校验等，而在NAND Flash 处理中，一般使用 一种比较专用的校验 ECC。ECC 能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度 很快，但对1 比特以上的错误无法纠正，对2 比特以上的错误不保证能检测。 ECC 原理 ECC 一般每256 字节原始数据生成3 字节ECC 校验数据，这三字节共24 比特分成两 部分：6 比特的列校验和16 比特的行校验，多余的两个比特置1，如下图所示： ECC 的列校验和生成规则如下图所示： 用数学表达式表示为： P4=D7(+)D6(+)D5(+)D4 P4`=D3(+)D2(+)D1(+)D0 P2=D7(+)D6(+)D3(+)D2 P2`=D5(+)D4(+)D1(+)D0 P1=D7(+)D5(+)D3(+)D1 P1`=D6(+)D4(+)D2(+)D0 这里(+)表示“位异或”操作 ECC 的行校验和生成规则如下图所示： 用数学表达式表示为： P8 = bit7(+)bit6(+)bit5(+)bit4(+)bit3(+)bit2(+)bit1(+)bit0(+)P8 …………………………………………………………………………………… 这里(+)同样表示“位异或”操作 当往NAND Flash 的page 中写入数据的时候，每256 字节我们生成一个ECC 校验和， 称之为原ECC 校验和，保存到PAGE 的OOB （out-of-band ）数据区中。 当从NAND Flash 中读取数据的时候，每256 字节我们生成一个ECC 校验和，称之为 新ECC 校验和。 校验的时候，根据上述ECC 生成原理不难推断：将从OOB 区中读出的原ECC 校验和 新ECC 校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC 无法检测的错误）； 若3 个字节异或结果中存在11 个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；若3 个 字节异或结果中只存在1 个比特位为1，表示OOB 区出错；其他情况均表示出现了无法纠 正的错误。 ECC 算法的实现 显示代码 打印 001 static const u_char nand_ecc_precalc_table[] = 002 { 0x00, 0x55, 0x56, 0x03, 0x59, 0x0c, 0x0f, 0x5a, 0x5a, 0x0f, 003 0x0c, 0x59, 0x03, 0x56, 0x55, 0x00, 0x65, 0x30, 0x33, 0x66, 0x3c, 0x69, 0x6a, 0x3f, 0x3f, 0x6a, 004 0x69, 0x3c, 0x66, 0x33, 0x30, 0x65, 0x66, 0x33, 0x30, 0x65, 0x3f, 0x6a, 0x69, 0x3c, 0x3c, 0x69, 005 0x6a, 0x3f, 0x65, 0x30, 0x33, 0x66, 0x03, 0x56, 0x55, 0x00, 0x5a, 0x0f, 0x0c, 0x59, 0x59, 0x0c, 006 0x0f, 0x5a, 0x00, 0x55, 0x56, 0x03, 0x69, 0x3c, 0x3f, 0x6a, 0x30, 0x65, 0x66, 0x33, 0x33, 0x66, 007 0x65, 0x30, 0x6a, 0x3f, 0x3c, 0x69,