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doi: 10.6043/j.issn.0438-0479.201611009 ZnO中氧空位缺陷分布形成能的第一性原理 林传金1, 2，朱梓忠2* (1.闽南师范大学物理与信息工程学院，福建 漳州 363000； 2.厦门大学物理科学与技术学院，福建 厦门 361005） 摘要： 研究ZnO材料中氧的单空位和多空位分布对于理解ZnO的本征n型导电以及抗辐射等机理都有重要的意义。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，研究了ZnO在富氧和富锌条件下氧的单空位、双空位和三空位缺陷的形成能。结果表明，在富氧和富锌条件下，随着氧空位浓度的增加，氧空位形成能变大，说明ZnO中不容易产生多空位氧缺陷；随着氧空位浓度的增加，氧空位对应的吸收光谱红移；分散型氧双空位的形成能低于聚集型氧双空位，说明ZnO中不容易产生氧空位聚集，解释了ZnO的抗辐射能力；在富锌条件下，聚集型氧双空位形成能大于分散型氧三空位的形成能，说明在此条件下氧三空位更难形成。 关键词：第一性原理计算；ZnO；氧空位；形成能 中图分类号： O471.4 文献标志码：A 文章编号： ZnO是直接带隙的半导体材料，在常温常压下，晶体结构为六角纤锌矿结构，禁带宽度为3.4eV，自由激子束缚能为60meV。ZnO在透明电极[1]、气敏传感器[2]、太阳能电池[3]、纳米发电机[4]等领域都有广泛的应用。与GaN材料