【2017年整理】电子测量技术(3版)三2部分.pptVIP

二极管是整流、检波、限幅、钳位等电路中的主要器件。由于功能不同，对二极管的性能参数要求也不相同。 1．半导体二极管的特性和主要参数 （1）二极管的主要特性。二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极管正向偏置时导通；反向偏置时截止。 ;2．二极管的主要参数 （1）最大整流电流IFM 指管子长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向电流IR 指在一定温度条件下，二极管承受了反向工作电压、又没有反向击穿时，其反向电流值。 （3）反向最大工作电压VRM 指管子运行时允许承受的最大反向电压。应小于反向击穿电压。;（4）直流电阻 指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。良好的二极管的正向电阻约为几十Ω到几kΩ；反向电阻大于几十kΩ到几百kΩ。 （5）交流电阻 r 二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应电流变化量之比。 （6）二极管的极间电容 势垒电容与扩散电容之和称为极间电容。在低频工作时，二极管的极间电容较小，可忽略；在高频工作时，必须考虑其影响。;2．测量原理和常规测试方法 PN结的单向导电性是进行二极管测量的根本依据。 （1）用模拟式万用表测量二极管。对二极管进行检测，主要是鉴别它的正、负极性及其单向导电性能。 ① 正、反向电阻的测量。测量时，将二极管与万用表的表笔相接，万用表指示出一个电阻值；将万用表的表笔对换，再接二极管，此次所测得的电阻必然与上次测量结果不相等，其中万用表指示的较小的电阻值为二极管的正向电阻，指示值较大的电阻为二极管的反向电阻。;② 极性的判别。根据二极管正向电阻小、反向电阻大的特点可判别二极管的极性。表笔分别与二极管的两极相连，测出两个阻值，在测得阻值较小的一次测量中，与黑表笔相接的一端为二极管正极，与红表笔相接的一端为二极管负极。 ③ 管型的判别。硅二极管的正向压降一般为0.6～0.7V，锗二极管的正向压降一般为0.1～0.3V，通过测量二极管的正向导通电压，就可以判别被测二极管的管型。 ;（2）数字式万用表测量二极管。 实际测量的是二极管的直流压降。 （3）用晶体管图示仪测量二极管。 直接显示二极管的伏安特性曲线。 （4）发光二极管的测量 ①用模拟式万用表判别发光二极管 实际测量的也是二极管的直流压降。 ② 发光二极管工作电流的测量。 ; 半导体三极管是内部含有两个PN结、外部具有三个电极的半导体器件。 1、三极管的主要参数 (1)直流电流放大系数 定义为集电极直流电流 与基极直流 之比。 (2)交流电流放大系数 三极管在有信号输入时，定义为集电极电流的变化量 与基极电流的变化量 之比。;(3)穿透电流 基极b开路，集电极c与发射极e间加反向电压时的集电极电流。硅管的 在几微安以下。 (4)反向击穿电压 是基极b开路，集电极c与发射极e间的反向击穿电压。 (5)集电极最大允许电流 是 值下降到额定值的1/3时所允许的最大集电极电流。;6．集电极最大允许功耗 是集电极上允许消耗功率的最大值。 ;① 基极的判定。利用PN结的单向导电性进行判别。 ② 发射极和集电极的判别。判别发射极和集电极的依据是：发射区的杂质浓度比集电区的杂质浓度高，因而三极管正常运用时的β值比倒置运用时要大得多。 ;用模拟式万用表，将黑表笔接假设的集电极，红表笔接假设的发射极，在假设集电极（黑表笔）与基极之间接一个100kW左右的电阻，看万用表指示的电阻值，如图3.16（a）所示，然后将红黑表笔对调，仍在黑表笔与基极之间接一个100kW左右的电阻，观察万用表指示的电阻值，如图3.16（b）所示。其中，万用表指示电阻值小表示流过三极管的电流大，即三极管处于正常运用的放大状态，则此时黑表笔所接为集电极，红表笔所接为发射极。;③ 电流放大倍数的估测。将万用表拨到相应电阻挡，按管型将万用表表笔接到对应的极上。测量发射极和集电极之间的电阻，再用手捏着基极和集电极，观察表针摆动幅度的大小。表针摆动越大， 值越大。 （2）用数字万用表测量三极管 直接以数字形式显示测量值。 （3）用晶体管特性图示仪测量三极管;3.3.1 晶体管图示仪的特点(1)广泛性 (2)直观性(3)全面性 (4)精确性;3.3.2晶体管图示仪的工作原理;3.3.3　晶体管图示仪的测试应用;（5）进行ICM的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。 （6）进行IC或ICM的测试时，应根据集电极电压的实际情况，不应超过仪器规定的最大电流。 （7）进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐渐调节到需要值，测试完毕后，应立即将峰值电压调到零。;2．晶体管输出特性曲线的测量 通常用图示仪对输入、输出特性进行测量。图3.18表示了图示仪测量NPN型晶体管输出特性曲线的原理。;例1