MEMS薄膜应力梯度及杨氏模量在线测量方法研究.pdf

搞 要 摘 要 结构层薄膜淀积和牺牲层释放是硅基 MEMS 器件加工过程中形成可动结构的重 要工序。结构层薄膜的力学参数对 MEMS 器件制作成败及性能的好坏具有重要影响。 薄膜厚度方向上的应力梯度和薄膜的杨氏模量就是两个十分重要的力学参数。 结构层薄膜的这些力学参数与宏观大体积同种材料的力学参数有很大差异，而 且，这些力学参数也会随着制作工艺的不同以及加工条件的变化而改变，因此需要在 工艺线上经常测量，以确定某一特定工艺条件下薄膜材料的力学参数。 现在，MEMS 薄膜力学参数的在线测量已成为 MEMS 材料特性研究领域中的一 项迫切需求。 本文提出一种用中心固支的圆形薄膜作为测试结构，由光学干涉技术和多普勒技 术分别在线测量 MEMS 薄膜应力梯度与杨氏模量的方法。 中心固支圆膜在其厚度方向上的应力梯度作用下，四周会产生翘曲，由光学干涉 技术测量圆膜边缘的离面高度，计算出圆膜的曲率半径，就可以提取 MEMS 薄膜的 应力梯度。 将测试结构固定在压电陶瓷上，由正弦信号驱动，用多普勒技术测量圆膜的纵向 谐振频率，就可以计算出薄膜材料的杨氏模量。 为验证该测量方法的正确性，CoventorWare 模拟了若干个不同尺寸的多晶硅圆 膜，仿真计算得到的应力梯度与杨氏模量的误差均小于 1.5%。可见这种在线测量方 法具有较高的精度。 由于该测试结构的中心对称性，其锚区接近理想固支，大大提高了模型精度；文 中也证明了圆膜曲率半径只与应力梯度有关，而与圆膜尺寸无关，因此，可根据测量 精度要求合理选择圆膜半径，减小测试结构占用芯片的面积；还证明了薄膜厚度方向 上的应力梯度不会影响杨氏模量的测量结果。 文中提出的这种测量方法属于非接触测量，不会损害测试结构，重复性好，同时 适用于导电材料与非导电材料力学参数的在线测量。 关键词：在线测量，中心固支圆膜，杨氏模量，应力梯度 I Abstract Abstract The stress gradient and the Young’s modulus are two material parameters which are significant for MEMS devices. In-situ measuring these parameters of a thin film is great important for testing the stability of the fabrication process and improving the performance of MEMS device. A center-anchored circular plate is adopted as test structure to in-situ measuring the stress gradient and the Young’s modulus of a MEMS thin film. The circular plate will deform after released from the substrate for the stress gradient through the thickness of the film. The out-of-plane height at the edge of plate is measured by optical interferential technique. The curvature radius of the circular plate could be calculated to extract the stress gradient of the thin film. The center-anchored circular