MEMS器件中的微体缺陷检测研究.pdf

维普资讯 第 31卷第 4期 红外与激 光工程 2002年 8月 V0I．31No．4 InfraredandLaserEngineering Aug．2002 MEMS器件 中的微体缺陷检测研究 李颖鹏 ，尤 政 ，李 滨 (清华大学精密仪器与机械学系，北京 100084) 摘要 ：为实现对硅基材料和 MEMS器件 内微体缺 陷的无损 、高效和准确检测 ，在研究广义 洛仑兹一米氏散射理论 的基础上 ，针对硅基材料和 MEMS器件的物理特 点，对球形缺 陷与红外 激光相互作用在非垂直方 向散射光强分布特 点进行 了研 究和计算机仿真 ，提 出利用红外激光 背散射分布分析对硅基材料和 MEMS器件 内部缺陷进行检测 的方法，并通过 实验验证 了该方 法的有效性 。 关 键 词 ： 硅基材料 ； MEMS~ 微体缺 陷； 广义洛仑兹一米氏散射理论 ； 背散射 ； 光 强分布分析 中图分类号 ：TN36 文献标识码 ：A 文章编号 ：1007—2276(2002)04—0351-O5 Studyonmicrobulkdefectsdetection inM EM Scomponents LIYing—peng，YOU Zheng， (DepartmentofPrecisionInstrumentsandMechanics，TsinghuaUniversity，Beijing100084，China) Abstract：ThecoherenceofsemiconductivemateriaIiSan importantassurancetOrealizethe functionofmicrocomponent．InordertOdetectmicrobulkdefectsinsilicicmaterialsandM EMS componentsnondestructively，effectivelyandaccurately，basedonGeneralizedLorenz—M ieScat— teringtheory，thescattering lightintensity distribution oftheinteraction between sphericalde— fectsandinfraredlaserbeam innon—verticaldirection，whichaim atthephysicalpropertyofsilicic materialsandM EMS components。isstudied，and themathematicalsimulation by computeris done．A new method tO detectmicro defectinM EMS componentsby analyzingback scattering lightintensitydistributionofinfrared laserispresented．Thebasicprincipleandtheoreticmodel ofthedetectionisintroduced，andthevalidityandfeasibilityofthemethodareprovenbyexperi— m ent． Keywords： Silicicmaterial； MEM S； M icrobulk defect； GeneralizedLorenz—M ie