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Part I Unit 1 1.1 Bipolar Transistors 现在工业电子系统使用的是被称为晶体管的装置。每一类型的晶体管有区别于其他晶体管的不同特点和操作条件。在讨论的第一部分，我们来关注双极性晶体管。从结构上看，这个晶体管被描述为双极性的，是因为它有两个不同的电流载体极性。空穴是阳极电流载体，而电子是阴极电流载体。这两个不同性质的半导体晶体通过一个公共部分连接在一起。这个装置的结构类似于两个二极管背靠背连接，其中一个晶体充当另外两个晶体的公共部分。中间的材料通常被做得比外面的两片都要薄。图1.1表示的是此晶体管的结构，原件名称，和不同双极性晶体管的语义符号。 一个双极性晶体管主要被用做放大器来限制流经它的电流。电流从电源流入发射极，经过基极，再流出集电极。集电极的电流量通常被定义为晶体管的输出量。集电极电流由基极电流中的一小部分控制。这个关系被描述为电流增量或β。数学表达式如下： 电流增量=集电极电流÷基极电流 公式中希腊字母Δ表示变化的值。它用来表示当有交流输入时晶体管的响应。这种类型的状态被称为动态特性。公式中的Δ的省略部分表示直流或静态工作条件。 所有从发射极进入晶体管的电流被定义为发射极电流。集电极电流Ic通常小于Ie。Ie和Ic的不同归因于基极电流。从数学角度看，Ib=Ie－Ic 例1-1；确定一个双极性晶体管的Ie为11mA,Ic为10.95mA; 解；。。。（省略） 图1.2表示的是一个简单NPN型硅晶体管的电路连接图。这个电路是以正向偏置的发射极和反向偏置的集电极为基础的。我们把直流电源的负极连接到发射极，把正极通过Rb连接到基极来达到发射极的正向偏置。我们把电源正极通过电阻Rl连接到集电极，形成集电极的反向偏置。我们通过发射极的正向电压来控制流经Rl的集电极电流。 在一个简单的PN结中，正向偏置导致其导通，反向偏置导致其不导通。在晶体管中，这种规律不能直接应用因为两个结都包含在里面。例如，当发射极正向偏置时，会导致大量的Ie流入基极。集电极的反向偏置通常会限制这个电流。但是由于薄的基极结构，当Ie到达基极区时它会立刻流入集电极。最终，此电流流经集电极以集电极电流的形式出现。发射极的正向偏置因此会改变或者减少在正常晶体管操作中基极-集电极的反向偏置效果。 一个晶体管主要被定义为电流控制装置。这意味着只有当发射极正向偏置并且产生基极电流时才会有输出或者集电极电流Ic。当基极电流停止时，集电极电流停止并且晶体管变为不导通。这个情况又被称作是截断，如果基极出现超量电流时，晶体管被驱动致饱和。当这个情况发生时，Ib的增加不会导致Ic相应的变化。当完成放大操作时，晶体管几乎是工作在饱和区。 图1.3的晶体管放大器电路是一个先前NPN电路的PNP对立图。此电路中的电源的反向连接是为了达到合适的偏置。其性能基本上和NPN电路一致。Ic,Ib,Ie由图中箭头标出。此电路的发射极电流依然是最大的电流值。在此电路中Ic和Ib之和依然等于Ie。 Part I Unit 3 3.1 Binary Numbering system 如今，几乎所有的电子数字系统使用的是二进制。这种系统是以2作为基数的。能被这个系统的特定的某一位表示的最大数值是1。这意味着二进制系统只有数字0和1。电子学中，用0表示低电压或没有电压。数字1表示比0大得多的电压或比0更有意义。二进制系统使用这种电压分配方式叫作正逻辑。相比较而言负逻辑就是把零电压和没有电压用数字1表示。在下面的讨论中，仅使用正逻辑。 一个二进制系统的两种工作状态，0和1，可以比作实际电路。当电路断开或没有电压输入时，就可认为是处于关断或0状态。电路有输入电压或运行时，就处于工作或1状态。一个二进制数字要么是1要么是0。术语位就是用来描述这种状况的。位是单词二进制数字的缩写形式。 十进制计数的基本规则通常都是应用二进制数字。比如二进制系统的级数是2。这就是说只能用0和1来表示某一个特定的位置。从点号开始往左第一位，也就是二进制点号，代表单元或1的位置。剩下的词往左都是2的次幂。二进制点号往左的数值是2的0次等于1，2的1次等于2，2的2次等于4，2的3次等于8，2的4次等于16，2的5次等于32，2的6次等于64，2的7次等于128等等。 一般地讲，当在一个讨论中用到多种计数体系时，必须加一个下标数值来表示它的进制。数值（110）.2就是这种形式的一个典型代表。它表示的是1-1-0而不是十进制的一百和十。 二进制的110代表十进制的6。从二进制点号往左的第一位开始，这个数字可以表示为0乘以2的0次+1乘以2的1次+1乘以2的2次或0+（2）.10+(4).10=(6).10。二进制数字到相等的十进制数字的转换步骤如图1.14所示。 二—十进制间