第二章.小信号调谐放大电路1剖析.pptVIP

前面讨论的放大器，都假yre=0,实际中，它是存在的。 2.7 高频调谐放大器的稳定性 2.7.1晶体管内部反馈的有害影响 放大器调试困难 （1）输入导纳 （2）输出导纳 2.放大器的工作不稳定 1.放大器调试困难 （1）.放大器的输入导纳 c e 晶体管的输入导纳包括两部分 （2）.放大器的输出导纳 c e 2.放大器工作不稳定 输出被反馈到输入端，又经晶体管放大，循环进行。在合适的条件下，放大器甚至不需要外加信号，也能产生正弦或其他波形的振荡，则正常的放大被破坏。 即使不发生自激，频率的不同，反馈的强弱也不同，结果影响放大器的频率特性，通频带和选择性。 2.7.2解决办法 一是从晶体管本身想办法，减小其反向传输导纳yre的值。 二是从电路上设法消除晶体管的反向作用，使它单向化，具体方法有中和法与失配法。 中和法通过在晶体管的输出端与输入端之间引入一个附加的外部反馈电路(中和电路)，来抵消晶体管内部参数yre的反馈作用。 CN C L2 L1 VT2 VT1 EC C L1 L2 VT1 VT2 CN Cbc iN if 用一个电容CN来抵消yre的虚部(反馈电容)的影响，就可达到中和的目的。 固定的中和电容CN只能在某一个频率点起到完全中和的作用，对其它频率只能有部分中和作用。中和电路的效果很有限。 2. 提高放大器的稳定性的方法 失配法通过增大负载电导YL，进而增大总回路电导，使输出电路严重失配，失配法以牺牲增益来换取电路的稳定。 用两只晶体管按共发一共基方式连接成一个复合管是经常采用的一种失配法。 VT1 VT2 由于共基电路的输入导纳较大，当它和输出导纳较小的共发电路连接时，相当于增大共发电路的负载导纳而使之失配，从而使共发晶体管内部反馈减弱，稳定性大大提高。 共发电路在负载导纳很大的情况下，虽然电压增益减小，但电流增益仍较大；而共基电路虽然电流增益接近1，但电压增益却较大。所以二者级联后，互相补偿，电压增益和电流增益都比较大，而且共发一共基电路的上限频率很高。 2.3.2 单调谐放大器的放大能力 图2-21 调谐放大器集电极回路的等效电路 A B C N1 N0 R 谐振时：ZAC=R 2.3.3 选频性能 1. K－f 特性 2. K/K0－f 特性 3. 通用谐振曲线 代入得 K/K0--f 特性 K--f 特性 ?=0 广义失谐量 在谐振点附近 ?仅与?有关，所以不管Q 如何变化，均可用同一条曲线表示----------通用特性曲线。 可见 对应于通频带的上下边界 2.4晶体管高频等效电路及频率参数 工作频率分为高频管和低频管 低频晶体管的电流放大系数α，β看成与频率无关的常数 高频晶体管的电流放大系数与频率有明显的关系，频率越高， 电流放大系数越小。 晶体管高频等效电路 ）等效电路。 一是物理模拟（混合 参数等效电路）。 另一是形式等效电路（ 2.4.1晶体管混合π型等效电路 图2.2.1 晶体管高频共发射极混合π型等效电路 ； 基区体电阻, 约 发射结电阻 折合到基极回路的等效电阻,约 几十欧到几千欧； 2.2.1 ：发射结电容, 约10皮法到几百皮法； ：集电结电阻, 约10kΩ～10MΩ； ：集电结电容, 约几个皮法； ：晶体管跨导, 几十毫西门子以下； 各参数有关的公式如下： 其中: 是发射极静态电流, 是晶体管低频短路电流 是晶体管特征频率。 放大系数, 2.2.1 注意:各参数均与静态工作点有关。 在实际应用中，可用简化的混合 型等效电路。 图2-24 简化的混合π型等效电路 2.4.2Ｙ参数等效电路 双口网络即具有两个端口的网络，如图2.2.3所示。 参数方程是选取各端口的电压为自变量, 电流为应变量, 其方程如下 图2.2.3 双口网络 2.2.1 其中 四个参量均具有导纳量纲，即 所以Ｙ参数又称为短路导纳参数, 即确定这四个参数时必须使某一个端口电压为零, 也就是使该端口交流短路。 2.2.1 图2.2.4 共发射极接法的晶体管Ｙ参数等效电路 2.2.1 如共发射极接法的晶体管, 如图2.2.4所示, 相应的Ｙ参数方程为 式中， 分别称为输入导纳、反向传输导纳 正向传输导纳和输出导纳。这些参数称为晶体管的内参数 其中 图2.2.4 共发射极接法的晶体管Ｙ参数等效电路 Y参数的物理意义 晶体管的输入导纳