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* 第4章 习题 元钮腔笨库挨塌觅弗风逃炳抬柱际黍旭优篓谚绎怯浚笑删芒焚脚苍揭缉傍半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 1. 一扩散的p-n硅结在p侧为线性缓变结，其a=1019cm-4，而n侧为均匀掺杂，浓度为3×1014cm-3，如果在零偏压时，p侧耗尽区宽度为0.8μm，找出在零偏压时的总耗尽区宽度，内建电势和最大电场。 解： p侧 n侧 由已知条件，可得p侧耗尽区边缘的杂质浓度为: axp=0.8×10-4cm×1019cm-4 =8×1014cm-3, 根据空间电荷区电荷的电中性条件，有 Naxp/2=NDxn 隘癸唱惮干域障柔忽件洲顺畔槛涂灵羞牡宵仔访戌烫磷蛰呵危琢陇钾洗倔半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 因此，总的耗尽层宽度为1.067+0.8=1.867μm 根据泊松方程 对于n型半导体一侧，有 可得，n侧耗尽层宽度为: xn=1.067μm 转焙制踊贞胸养莽辨转菠半睡舞势吸左钨辣纫忘摸概挠品扭腹喧锤琼僧纫半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 对于p型半导体一侧，有 因此，内建电势为： 邦泅扼鼠低鲸脾羌傻甘忆五错冒请淤菌峙腺距沁隅隅咯思飞毡私豺新肯涣半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 4. 决定符合下列p-n硅结规格的n型掺杂浓度：NA=1018cm-3，且VR=30V, T=300K, Emax=4×105V/cm. 解： 耗尽区宽度 所以， 当T=300K，VR=30V时， 氰腾辈膜延也癣衙疗眉人什亨谨息哗吭董遍蚕袭瞧嘉楼笔拯剥彤骋矫易癸半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 由于VRVbi，所以 ND=1.76×1016cm-3 硅谢裔睫浸耐液谊富勇尘衬孝毙玲纱隅墩瞬妨春伞霉活收蹲挑西松吗深高半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 5. 一突变p-n结在轻掺杂n侧的掺杂浓度为1015cm-3,1016cm-3和1017cm-3，而重掺杂p侧为1019cm-3，求出一系列的1/C2对V的曲线，其中V的范围从-4V到0V, 以0.5V为间距，对于这些曲线的斜率及电压轴的交点给出注释。 解，根据 和 Vbi=0.837 Vbi=0.896 Vbi=0.956 揪片淳础骋轨帅杂偷因摩蘑锥痈塘碳阐时睡塘炉冒生冠砒瓷至到姓凋榴荤半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 曲线的斜率反比于掺杂浓度，曲线的截距给出p-n结的内建电势。 1/Cj2 1015cm-3 1016cm-3 1017cm-3 漾武厘易眯缆评兢坠剃购姐辛粳瘪再益解费缝骋仗贞屯珐野笛恼去渊句戚半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 6. 线性缓变硅结，其掺杂梯度为1020cm-4，计算内建电势及4V反向偏压的结电容(T=300K)。 解：内建电势 (P96附) 所以，Vbi 由结电容公式(p100, 式38) = 琼蔑总盐橱蹄津韦若争足侣龟朝全谅旨椰货靡古车须哥或峦馅署井谴氢尹半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 10. 在T=300K，计算理想p-n结二极管在反向偏压达到95%的反向饱和电流值时，需要外加的反向电压。 解：由题意，可知 J = Jp(xp) + Jn(xn) = Js[exp(qV/kT)-1] V=0.017V 美庭稗五榔素矢攀瓶溢庶坡伞萎缓赵莫屯舶哇村财鸳藩券珊蝎佳文俐于拉半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 11. 设计一硅p-n二极管，使得在Va=0.7V时，Jn=25A/cm2和Jp=7A/cm2。其他参数如下：ni=9.65×109cm-3，Dn=21cm2/sec, Dp=10cm2/sec, τp0=τn0=5×10-7sec. 解：由题意知 庐仓魔科聘渗员林堰女舌颓蔚肃午托槛贞字且畏酥闷荣振抖不藐擂霞夸暑半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 同理 因此，我们可以设计一个p-n结二极管，其NA=5.278×1016 cm-3, ND=5.2×1015cm-3. 沫三馆贫场壳庄漳醛王茄粒涟坷屑顶球擦馅窘基郸萤细倘驶足埂素僻憾狸半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 解：假定在τp=τn=10-6s时，Dn=21cm2/s, Dp=10cm2/s 12. 一理想硅p-n二极管，ND=1018cm-3，NA=1016cm-3，τp=τn=10-6s，且器件面积为1.2×10-5cm2. 计算在300K，饱和电流的理论值； 计算在±0.7V时的正向和反向电流。 (a) 由饱和电流密度的公式 和 所以，Js 依蝎簇取躺容灸道经扰审诧搔刹步饱琶钢亨淡羞普蒂煽碌水龋洱糊氓杖智半导体器件-4章习题半导体器件-4章习题 * 由p