ch1微电子元件尺寸极限..docVIP

1-1.試討論微電子元件尺寸極限. 在半導體面形成積體電路所需的圖形，通常要用微影蝕刻方法 ; 蝕刻方法分為乾法與濕法兩種。首先在矽晶上以熱處理方法長一層氧化層，其次在氧化層上塗一有機光阻層。利用紫外光通過一光罩透光的部份。對某些光阻材料經紫外線照射其分子鏈被破壞，而可以有機溶劑清洗掉，再以氫氟酸除去曝露部份的氧化物，再將未反應光阻材料清除，最後在半導體表面得到與光罩圖形一樣的圖形。上例乃為利用正光阻材料，如利用負光阻材料，經曝光後，負光阻材料分子結合在一起而較未曝光光阻難清除，如此得到的圖形與光罩透光部份互補。以上所述的微影技術是用光學方法來作的，由於這種技術很適合大量生產用，所以一直都為半導體工業所採用，但是現在技術上已經漸漸逼近到它解析度的極限了。這極限的由來主要是因為光波在光罩圖案邊緣會產生複雜的繞射條紋，而且晶片表面的反射光會使這問題更複雜化.另外因開口尺寸微小化，曝光光源有利用更短波長電磁波一X光及電子束的趨勢。 1-2.試討論2010年以後元件。 Ans：根據在美國美國半導體製造技術策略聯盟(Semiconductor Manufacturing Technology, SEMATECH)任職的T. Seidel在1996年預測，到2010年100nm元件微電子材料將包括選擇性磊晶矽、CoSi2或TiSi2接觸與閘極、Cu連線與擴散障礙層、Cu栓塞、絕緣體上矽晶(Silicon on Insulator，SOI)，低介電與高介電氧化物絕緣層。 (CSG)和自旋塗佈的介電質層(SOD)以及多孔性的二氧化矽。這些低介電質材料可以藉由CVD製程沉積，像是CSGα-FC，或是藉著自旋塗佈及加熱硬化或電子束硬化製程來沉積。高介電質材料像是二氧化鉿(HfO2)或是二氧化鋯(ZrO2)將會被取代二氧化矽以當作MOS電晶體的閘極介電質材料，藉著使用高介電質，我們可以將閘極介電質維持足夠的厚度以防止漏電流和崩潰。 當最小的圖形尺寸小於35nm時，微影技術將會遇到重大的困難。下一世代的微影技術，像是EUV微影技術或是投影電子束微影技術，將會在2010年以後開始取代長期所使用的光學微影技術。 1-3 根據時在美國美國半導體製造技術策略聯盟（Semiconductor Manufacturing Technology, SEMATECH）任職的T. Seidel在1996年預測，到2010年100nm元件微電子材料將包括選擇性磊晶矽、CoSi2或TiSi2接觸與閘極、Cu連線與擴散障礙層、Cu栓塞、絕緣體上矽晶（Silicon on Insulator，SOI），低介電與高介電氧化物絕緣層。一方面有許多已浮現材料的研究發展工作，如Si-Ge合金基材，有待加速進行，在金屬接觸與閘極、連線方面則已達物性極限，有賴革命性的創新，開啟新紀元。1-4.什麼是Moore定律? 1965 年，半導體先驅 Fairchild 公司研究主任 Gordon Moore 預估，未來的電子運算元件，都會集中縮小到現在俗稱 Micro Chip 的晶片裏，經過工程師的設計，晶片的運算能力，每年可以加倍。這就是 Moore 定律。這個定律是以後才出名的，主要是 Moore 在 1968 年創立了 Intel 公司以後，逐漸證實了他的預估。Moore 在 1975 年提出修正，把每年加倍改為每兩年加倍，業界實際上約為每 18 個月加倍。 1965 年 Moore 的創舉是一個晶片內放了 64 個電晶體，現在的 Intel P3 則有 2800 萬個電晶體。1-5. 256M 以上動態隨機擷取記憶體(DRAM)有什麼用途 一顆256M（0.25um）DRAM包含6千萬個以上電晶體儲存1千萬個國字相當於5百張報紙但一8吋晶圓廠造價超過兩百億DRAM的容量大小將直接影響到計算機的運算速度,對於目前計算機性能上越來越嚴格的要求以及產品輕薄短小化的趨勢,128M的DRAM已漸無法滿足其需求,因此可預見256M的DRAM很快將成為主流。 DRAM最大的市場還是在個人電腦上,256M的DRAM可作為主記憶體及緩衝記憶體等元件,其他在電腦週邊設備如數位影像卡、2D/3D繪圖加速卡、硬碟、光碟等設備上,256M的DRAM也都能發揮很好的應用。此外,針對移動設備如筆記型電腦,行動電話,PDA等產品,256M的DRAM能適度的改良其攜帶便利性。另外在電訊、網路、醫療、國防等產業上也都需要更大容量的記憶體來改良其性能。 1-6 為什麼動態隨機擷取記憶體(DRAM)比靜態隨機擷取記憶體(SRAM)快? Ans : 動態隨機擷取記憶體(DRAM)和靜態隨機擷取記憶體(SRAM)都是所謂的揮發性的(volatile)記憶體 ; 其中SRAM是以記憶胞(me