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DDR2时序测试规范V1.0精要
DDR2时序测试规范
编 制： 许军亮
审 核：
批 准：
瑞斯康达科技发展股份有限公司
文 件 维 护 日 志
修改日期 修改人 修改内容 确认人 2010-8-26 许军亮 首个版本 硬件测试组2010-08-26制定文档，版本1.0
CONTENTS
1 待测时序参数 1
2 地址和控制信号时序 2
3 DQ读写数据分离 6
4 写数据和DM信号时序 8
5 读数据时序 13
6 时序修正 15
待测时序参数
DDR2的时序测试应包括下表所列的基本参数：
Symbol Parameter 地址和控制信号时序 tIS Address and control input setup time tIH Address and control input hold time 写数据和DM信号时序 tDS DQ and DM input setup time tDH DQ and DM input hold time tWPRE DQS Write preamble，写前导时间 tWPST DQS Write postamble，写后续时间 读数据时序 tDQSQ DQS-DQ skew for DQS and associated DQ tQH DQ output hold time from DQS tRPRE DQS Read preamble，读前导时间 tRPST DQS Read postamble，读后续时间 【备注】如果内存控制器（如CPU）的datasheet中对读数据时序有明确要求，读时序测试参考内存控制器的datasheet执行。
各参数的示意图如下：
下面分别说明这些参数的测试方法。
地址和控制信号时序
包括tIS和tIH，定义如下：
上图中的各种逻辑电平定义如下：
【注释】
VIH(dc)输入高电平直流参数：当信号向上穿越此阀值时，确保电平翻转到1。是逻辑高电平的翻转阀值。VIH(ac)输入高电平交流参数：只有信号向上穿越此阀值后，输入的高电平信号才能保持一段时间，此时，介于VIH(dc)和VIH(ac)之间的振铃和毛刺才不会引起误触发。VIL(dc)输入低电平直流参数：当信号向下穿越此阀值时，确保电平翻转到0。是逻辑低电平的翻转阀值。 VIL(ac)输入低电平交流参数：只有信号向下穿越此阀值后，输入的低电平才能保持一段时间，此时，介于VIL(dc)和VIL(ac)之间的振铃和毛刺才不会引起误触发。
DDR2时序测试规范
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