基于单片机过零检测控制系统设计.doc

基于单片机的过零检测控制系统的设计 如下图所示为按上述思想设计的电压正向过零检测电路。220V的交流电首先经过电阻分压,然后进行光电耦合,假设输入的是A相电压,则在A相电压由负半周向正半周转换时,图中三极管导通并工作在饱和状态,会产生一个下降沿脉冲送入ADμC812的INT0引脚使系统进入中断程序。微机系统进入中断程序后,发出采样命令并从采样保持器读取无功电流值Iqm,这个无功电流即为A相的无功电流,经过1/4个周期电压达到最大值,此时对电压进行采样,得到UM,由UM=1.414U可以得到电压有效值U。 过零检测及单片机调压 首先用PWM(脉宽调制）方法用于可控硅控制是有条件的，即调制频率不能大于市电频率（50Hz），也就是周期不能小于20mS，否则就不能达到调制作用，调制频率超过市电频率时，可控硅即处于连续导通状态而不能达到调压目的。只有调制频率低于市电频率才能起到调压目的，即限制市电的周波通过可控硅的数量而起到调压的目的。因此用该种方法调制的电压周波数一定是小于50HZ，超过了人眼视觉暂留效应，此就是用于调光产生闪烁的原因。该调压方法用在调功或对脉动电压不敏感的用途上尚可。如果采用可控硅调压用在调光上，须采用移相的调制方法，可使光连续可调。采用移相方法就需过零检测作为移相基点。过零检测其实并不难，如果要求调压比不是很高采用简单的方法即可奏效；用一只三极管即可。用单片机进行移相调压控制可以做得很精。 /********************************************************************************/＃i nclude pic.h__CONFIG (CPDPROTECTBORENMCLRDISPWRTENWDTENINTIO);/********************************************************************************///void init (void);/********************************************************************************/// bit fg_pw,fg_vs,fg_zq;volatile unsigned char fg_count;volatile unsigned int time1_temp,buff;/********************************************************************************/#define powon GPIO|=0#define powoff GPIO=0#define vpp GPIO2#define feedback GPIO0/********************************************************************************/ void init (void) { CLRWDT(); TRISIO=0 WPU=1; IOCB=4; //使能过零信号中断 VRCON=0; PIE1=1; OPTION=0; INTCON=7; INTCON|=0 CMCON=7; T1CON=1; T1CON|=0x10; }/*********************************************************************************/ void interrupt isr_power (void) { GPIO=GPIO; if (TMR1IFTMR1ON) { TMR1IF=0; if (fg_pw) { if (!fg_vs) {powon;fg_vs=1;TMR1L=112;TMR1H