计算机成第五章习题.doc

5.4 同步测试习题及解答 5.4.1 同步测试习题 一、填空题 1.在多级存储体系中，Cache的主要功能是_________，虚拟存储器的主要功能是___________。 2.SRAM靠_________存储信息，DRAM靠_______存储信息。________存储器需要定时刷新。 3.动态半导体存储器的刷新一般有________、__________和__________。 4.一个512KB的存储器，其地址和数据线的总和是________。 5.若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器有_______条输出线；用双译码方式，地址译码器有________条输出线。 6.高速缓冲存储器中保存的信息是主存信息的__________。 二、选择题 1.在磁盘和磁带这两种磁介质存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式分_____。 A．二者都是顺序存取 B. 二者都是直接存取 C. 磁盘是直接存取，磁带是顺序存取 D. 磁带是直接存取，磁盘的顺序存取 2.存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为（） A.存取时间 B.存取周期 C.CPU周期 D.机器周期 3.以下哪种类型的存储器速度最快（） A.DRAM B.ROM C.EPROM D.SRAM 4.下述说法中正确的是（） A．半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆 B．动态RAM的易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的 C．半导体RAM是易失RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的 D．半导体RAM是非易失性的RAM 5．动态RAM的刷新是以（） A．存储单位 B．行 C．列 D．存储位 6.SRAM芯片，其容量为1024×8，除电源和接地端外，该芯片最少引出线数位（） A．16 B．17 C．20 D．21 7.存储器容量为32K×16，则（） A．地址线为16根，数据线为32根 B．地址线为32根，数据线为16根 C．地址线为15根，数据线为16根 D．地址线为16根，数据线为15根 8.某计算机字长为32位，存储器容量为4MB，若按字编址，其寻址范围是0到（） A．220-1 B．221-1 C．223-1 D．224-1 9.下述说法正确的是（） A．EPROM是可改写的，因而也是随机存储器的一种 B．EPROM是可改写的，但它不能用作为随机存储器用 C．EPROM只能改写一次，故不能作为随机存储器用 D．EPROM是只能改写一次的只读存储器 10.通常计算机的主存储器可采用（） A．RAM和ROM B．ROM C．RAM D．RAM或ROM 11.存储器采用部分译码法片选时（） A．不需要地址译码器 B．不能充分利用存储器空间 C．会产生地址重叠 D．CPU的地址线全参与译码 12.在主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是（） A．解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B．扩大主存容量 C．扩大CPU通用寄存器的数目 D．即扩大主存容量又扩大CPU中通过寄存器的数量 13.在程序的执行过程中，Cache与主存的地址映射是由（） A．操作系统来管理的 B．程序员调度的 C．由硬件自动完成的 D．由软、硬件共同完成的 14.采用虚拟存储器的目的（） A．提高主存的速度 B．扩大辅存的存取空间 C．扩大主存的存取空间 D．扩大存储器的寻址空间 15.常用的虚拟存储器寻址系统由（）两级 A．主存—辅存 B．Cache—主存 C．Cache—辅存 D．控件—主存 三、判断题 1.存取周期是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。 2.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的，存储容量越大，访问存储器所需时间就越长。访问存储器所需时间就越长。 3．随机存储器需要定时地进行刷新。 4．因为动态存储器是破坏性读出，所以必须不断地刷新。 5．断电后，RAM中的数据不会丢失。 6．动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。 7．断电后，EEPROM中的数据不会丢失。 8．一般情况下，ROM和RAM在存储体中是统一编址的。 9．用户编程的地址称为虚地址，通常虚地址的范围要比实地址大得多。 四、简答题 1．说明SRAM的组成结构，与SRAM相比，DRAM在电路组成上有什么不同之处？ 2．DRAM存储器为什么要刷新？采用何种方式刷新？ 3．存储器系统的层次结构可以解决什么问题？实现存储器层次结构的先决条是什么？用什么来度量? 五、分析题 1．某计算机系统字长32位，主存以字节编址，试画了存储器字地址和字节地址的分配情况示意图。 2．有一个16K×16的存储器，由1K×4的DRAM芯片（内部结构为64×64）构成，问： （