半导体物理第五章(教材).pptVIP

* (二) 光激发载流子的衰减 * * 作 业 5.8 5.12 5. 17 5.18 * (一) 样品足够厚 非平衡载流子尚未到达样品的另一端，几乎均已消失，因此，该情况同无限厚的样品。 等于A B=0 1. 解的具体形式 * 非平衡载流子复合前扩散进半导体的平均深度(平均距离)为： 其中的Lp表示空穴在边扩散边复合过程中，减少至原值的1/e时所扩散的距离，标志着非平衡载流子深入样品的平均距离，称为扩散长度。由扩散系数(一般有标准数据)和材料的寿 命决定。 2. 空穴扩散长度Lp * 3. 空穴扩散速度vdp 表明向内扩散的空穴流的大小如同表面的空穴以vdp的 速度向内运动 * 样品厚度为W，且在样品另一端将非平衡少数载流子全部引出。 1. 解的具体形式 (二) 样品厚度一定 边界条件 * * 表明非平衡载流子浓度在样品 内呈线性分布。其浓度梯度为： 扩散流密度为： 是一常数，意味着非平衡载流子 在样品中没有复合。 * 三、电子的扩散定律和稳态扩散方程 电子扩散流密度 电子扩散系数 * 四、载流子的扩散电流密度 载流子的扩散运动形成扩散电流。 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 * 五、三维情况下空穴的扩散运动 假定载流子在各个方向的扩散系数相同。 (一) 扩散定律 (二) 稳态扩散方程 扩散流密度散度的负值是单位体积内空穴的积累率： 单位时间、单位体积内由于复合而消失的空穴数为： 稳定情况下二者相等： * (三) 载流子的扩散电流密度 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 * 5.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式 载流子在外加电场作用下的运动称为载流子的漂移运动。 一、载流子的漂移运动 (一) 载流子的漂移电流密度 电子漂移电流密度 空穴漂移电流密度 * (二) 载流子的扩散运动和漂移运动 若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时又有外加电场的作用，那么除了非平衡载流子的扩散运动外，载流子还要做漂移运动。这时扩散电流和漂移电流叠加在一起构成半导体的总电流。如下图所示(以n型半导体为例)。 少数载流子空穴的电流密度 多数载流子电子的电流密度 总电流密度 * * 三、爱因斯坦关系式 考虑一维情况下，处于热平衡状态的不均匀的n型半导体。其中，施主杂质浓度随x增加而减小，电子和空穴浓度也 是x的函数 (一) 载流子的扩散电流密度 由于存在浓度梯度，因此可得电子、空穴的扩散电流密度分别为： * (二) 载流子的漂移电流密度 电离杂质是不能移动的，而载流子的扩散运动有使载流子均匀分布的趋势，导致半导体内部不再是处处保持电中性的，因此体内必然存在静电场|E|。该电场又产生载流子的漂移电流： * (三) 爱因斯坦关系式 因为在平衡条件下，不存在宏观电流，所以电场的方向必然是反抗扩散电流的，使平衡时空穴的总电流和电子的总电流分别等于零 (如右图所示)： * 半导体内部出现电场后，其中各处电势不相等，是x的函数，有： * 因此，考虑电子能量时，须计入附加的静电势能[-qV(x)]，因此导带底和价带顶的能量分别为： 能带图如右图所示。在非简并情况下，电子浓度为： * 求导得： 同理，对于空穴可得： 这就是爱因斯坦关系式。 * 爱因斯坦关系式表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系 数之间的关系； 虽然爱因斯坦关系式是针对平衡载流子推导出来的，但实验 证明，这个关系可直接用于非平衡载流子。这说明刚激发的 载流子虽然具有与平衡载流子不同的速度和能量，但由于晶 格的作用，在比寿命τ短得多的时间内就取得了与该温度相 适应的速度分布，因此在复合前绝大部分时间中已和平衡载 流子没有什么区别； 利用爱因斯坦关系式，由已知的迁移率数据，可以得到扩散 系数。 * 四、电流密度方程式 利用爱因斯坦关系式可得半导体中总电流密度为： 对于非均匀半导体，平衡载流子浓度也随x而变化，扩散电流应由载流子的总浓度梯度dn/dx和dp/dx决定，故上式可写为： 即半导体中同时存在扩散运动和漂移运动式的电流密度方程式 * 5.8 连续性方程式 以n型半导体为例，就一维情况分析少数载流子在扩散运动和漂移运动同时存在时所遵守的运动方程。 空穴浓度不仅是位置x的函数，也是时间t的函数。单位体积内空穴随时间的变化率为： 一、连续性方程 扩散项 漂移扩散耦合项 漂移项 净复合 其它 称为连续性方程式。 方程式左边项的物理意义：在x处，单位体积内空穴随