第一章 SemiconductorPhysics.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * 激光二极管（ pn结正向注入） 两边都为重掺杂的pn结. 在正向偏压下, 在结面附近, 可实现(Efn- Efp )Eg , 使这区域成为分布反转区--利用pn结正向注入实现粒子数的分布反转. Semiconductor Physics * * VDEg eV≥Eg 分布反转区 Semiconductor Physics * * 本章-书上第六章的删略: §6.2 p-n结电流电压特性 × 3. 影响p-n结电流电压特性的各种因素 §6.3 p-n结电容 × 3. 线性缓变结的势垒电容 本章-加入书上第十章部分内容: √ §10.4 半导体的光生伏特效应 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * P+-n结 Semiconductor Physics * * ★ 突变结的势垒电容 反向偏压下的突变结势垒电容(单位面积): Semiconductor Physics * * 几点说明: ① p-n结的势垒电容可以等效为一个平行板电容器,势垒宽度即两平行极板的距离 ② 这里求得的势垒电容, 主要适用于反向偏置情况 ③单边突变结的势垒电容: Semiconductor Physics * * ★ 扩散电容 扩散电容CD —当p-n结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. Semiconductor Physics * * 少子在扩散区中的分布: ?在空穴扩散区 ?在电子扩散区 Semiconductor Physics * * PN结的单位面积微分扩散电容为: ? 扩散电容在大的正向偏压和低频下起重要的作用. Semiconductor Physics * * §4 p-n结的隧道效应 (1) p-n结势垒区的隧道贯穿 (2) 隧道结的I-V特性 Semiconductor Physics * * ★ 隧道效应 隧道效应—能量低于势垒的粒子有一定的几率穿越势垒. 这是一种量子力学效应 隧穿几率与势垒的高度有关, 与势垒的厚度有关. 隧道二极管—利用量子隧穿现象的器件效应 Semiconductor Physics * * ★ p-n结势垒区的隧道贯穿 隧道结 p-n结, 两边都是重掺杂(简并情况), 以至在p区, EF进入价带; 在n区, EF进入导带. 结果: ① n区的导带底部与p区的价带顶部在能量上发生交叠 ② 势垒十分薄 电子可以隧道贯穿势垒区. Semiconductor Physics * * 图6-29 Semiconductor Physics * * ★ 隧道结的I-V特性 正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升,达到一个极大, (峰值电流Ip,峰值电压Vp ) 随后,电压增加,电流反而减少,达到一个极小,(谷值电流Iv,谷值电压Vv) 在Vp到Vv的电压范围内,出现负阻特性. 当电压大于谷值电压后,电流又随电压而上升 Semiconductor Physics * * 图6-27 Semiconductor Physics * * 0点—平衡pn结 1点—正向电流迅速上升 2点—电流达到峰值 Semiconductor Physics * * 3点—隧道电流减少,出现负阻 4点--隧道电流等于0 5点—反向电流随反向电压的增加而迅速增加 Semiconductor Physics * * §5 p-n结的光生伏特效应 (1)??? p-n结的光生伏特效应 (2)???光电池的伏安特性 Semiconductor Physics * * ★ p-n结的光生伏特效应 适当波长的光, 照射到非均匀半导体上,由于内建场的作用,半导体内部可以产生电动势(光生电压)--光生伏特效应是内建场引起的光电效应. 光生载流子在势垒区内的内建场的作用下, 各自向相反方向运动, 使p-n结两端产生光生电动势(p端电势升高,n端电势降低). Semiconductor Physics * * Semiconduct