李建军半导体器件模拟及数值第四章晶体管的模拟介绍.pptVIP

2.计算结果与器件内部的现象 二、计算结果 C 集电结高反偏置 当集电极偏置电压VBC=-10V时，载流子和电场的分布分别示于图4-6和图4-7。由图可见电子浓度在集电结耗尽层内发生显著变化，特别是在低发射结偏压时。由于集电结偏压较高，集电结要比图4-4所示的宽度宽，因此电子浓度最小值有一平坦的波形。 此外，从小注入向大注入的过渡---即耗尽层充满电子和空穴的过程发上在VBE=0.84V，比此前的0.76V大。 计算举例 小注入 大注入 VBE=0.5~0.9V, VBC=-10V时载流子分布 图4-6a 计算举例 电子浓度在集电结耗尽层内发生显著变化，特别是在低发射结偏压时。 计算举例 由于集电结偏压较高，集电结要比图4-4所示的宽度宽，因此电子浓度最小值有一平坦的波形。 基区电场分布 图4-6b 计算举例 集电区电场分布 图4-6c 计算举例 2.计算结果与器件内部的现象 二、计算结果 D 发射结反偏置 图4-7给出了反向有源状态时载流子的分布情况。发射结反向偏置VBE=-1V，而集电结正向偏置，范围VBC=0.4~0.9V。 计算结果（续） VBC=0.4~0.9V, VBE=-1V时载流子分布 图4-7 对于所有的集点结偏压，图4-7表明从集电区注入到基区的非平衡电子低于从基区反向地注入到集电区的空穴，这意味着集电结的注入效率非常低。其原因是发射极作用的高阻集电区内的杂质大大低于基区内的杂质浓度。当VBC=0.6V以上时，高阻集电区完全充满了非平衡电子和空穴，以至被看作是集电区扩散层在起发射极的作用，而发射结延伸到n-n+过渡处的区域(即 是一个有效基区)。 作业 1. 说明npn晶体管的边界条件和二极管有什么不同，需要增加什么附件条件？说明原因。 计算结果（续） 4.2.4 基区中点方程 [ ] ) x ( n ) x ( p B i B qy exp - = [ ] [ ] ) N ( ) N ( p ) N ( p ) N ( ) N ( n ) N ( p ) N ( p ) N ( p ) N ( p B B B B B i B B B B dy q qdy qy d 0 0 0 0 0 exp - = - - + = + = Talory 级数展开 另外，由基区中点约束条件 [ ] ) N ( n ) N ( p B i B qy exp - = 得 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = 于是，得 npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 比较上面的两个式子发现，NB点空穴浓度p(NB)及 电 势 必须同时满足两个互相独立的方程，这是不可能的。 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 实际上，矩阵方程 = + + + - ) ( ) 1 ( ) ( ) ( ) ( ) 1 ( ) ( N F N y N C N y N B N y N A d d d 的方程数和未知数数量已经相等，都是3(L-2)，如果再由求其满足 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = 就等于方程数比未知数的数目多一个，将使方程组无法求解。 npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 方程组 最上面一个方程是NB点的空穴连续性方程，第二个方程是NB点电子连续性方程，最下面一个是NB点的Poisson方程。解决上述多出一个方程的矛盾，可以通过忽略上面方程中最上面的空穴连续性方程，而以 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 来代替，即得到 这就是晶体管的基区中性点方程。当N等于其他网格点时，和二极管完全相同。 npn晶体管稳态方程 npn晶体管稳态方程 4.2.5 迭代运算的初值 前面说了，对矩阵方程组的迭代，除了在基区的中点要用基区中点方程代替外，其余各个步骤和二极管相同。从p,n和 的初值开始，迭代地计算增量因子 如果所有的组元 均变得足够小，则迭代结束。 迭代过程还是先求平衡态时npn晶体管的 ,n(x),p(x)的分布。载流子浓度初值的选取和二极管一样，也是认为整个器件是电中性的，于是 = + + + - ) ( ) 1 ( )