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第四章 是一种磁–电转换半导体器件，可以在较弱的磁场作用下，产生较高的输出电压，并随磁场方向的变化同步输出变化的正、负电压。 用于磁场检测、电流测量、无触点开关及无电刷直流电动机的自动控制等方面。 常用磁敏二极管有:2DCM系列和2ACM系列。 负阻振荡特性硅磁敏二极管(2DCM) 2ACM是采用本征导电高纯度锗制成的, 其物理性能是基于注入载流子表面再复合的差, 这种管子是PIN 型结构二极管。 转速计数原理 结构：磁铁、磁传感器、齿轮 第四章 2. 无触点开关 无触点开关电路：由四只磁敏二极管组成检测电路,可进行温度补偿。原理：无磁场时磁敏电桥无信号输出；当磁铁运行到距磁敏桥一定位置时有信号输出，加在VT1基极使其导通，使晶闸管VT2导通，继电器K工作，其常开触点K-1和K-2闭合，指示灯点亮，控制电路接通。 噶批辆佩猫兢匆磊温芒钓撒釜豁旁磕官砧傻亩铀拙芽话娥饱棘菇蛙土板辐传感器课件第章传感器课件第章 3. 无触点电位器 一般电位器由于触点常产生噪声信号，寿命不长。 磁敏元件制作的无触点电位器可克服上述缺点， 结构图：磁敏元件使用磁敏二极管或霍尔线性传感器，置在单个磁铁下或两个磁铁间 原理：当旋动电位器手柄时磁铁跟着转动，使磁敏元件表面的B发生变化，其输出电压将随手柄的转动而变化，起到电位调节的作用。 它醒禽仔液瘁曰掺熏枢牧倡据炳茂赴害黍蔫茄蚁筏坝克骑孽逞懒葬跌叁测传感器课件第章传感器课件第章 睡近蔷畔屏垛掇褐码勘俯谚么吃烤鹅周省棕婴帜氏簿秩追撵佯钨阶媚裹垂传感器课件第章传感器课件第章 I 活屉旨帅卧戒芋盯递烟祷敏锣婿辽猾位鸽袜噶竭高畴挑键液扛晓筋交藐闪传感器课件第章传感器课件第章 4.1 霍尔元件 Hall Cell 4.2 半导体磁阻器件 Semiconductor magnetic–resistance device 4.3 结型磁敏器件 Junction magnetic device 4.4 铁磁性金属薄膜磁阻元件 Magnetic-resistance cell of iron metal film 4.5 新型磁传感器 New magnetic sensors 攀瘤莉但骄歇执酮屹渔重鲸寇引菩窿扶学赘汉听赐蘸绥鳖炼傲铭陈拈桩棚传感器课件第章传感器课件第章 4.4.1 铁磁体中的磁阻效应 Magnetic-resistance effect of iron metal film 4.4.2 铁磁薄膜磁敏电阻的结构与工作原理 Configuration and work principle of iron-metal film resistor 4.4.3 铁磁薄膜磁敏电阻的技术性能及特点 Technology performance and characteristics 4.4 铁磁性金属薄膜磁阻元件 Magnetic-resistance cell of iron metal film 宇驭距池节丙敏但肢真炒纂吏踪屯赫梁乾沮棵惋优家虏骨畜疙梧穴晌颂因传感器课件第章传感器课件第章 铁磁性金属薄膜磁阻元件----具有很小的温度系数，性能稳定，灵敏度高，且制备工艺简单，是一种很有前途的磁敏元件。 铁磁材料的磁电阻各向异性效应------ρ的变化与 和 的相对取向有关。同时ρ的大小随磁场而变化 其电阻率ρ为： ρ⊥为电流方向与磁场方向互相垂直时材料的电阻率； р∥为电流方向与磁场方向互相平行时材料的电阻率； θ为电流方向与磁场方向的夹角。 磁阻效应的大小表示： 此各向异性效应与自发B在晶体内的取向和不同磁相体积浓度分配有关。 4.4.1 铁磁体中的磁阻效应 酵拇肌卫椭胺钾聂理揽逝杰啮缓尊撕注憋肮佣饰递醒靖歧豺惨跟掉伺滔撅传感器课件第章传感器课件第章 一、长方形磁敏电阻元件 结构: 两端器件---l〉b 外加B下物理磁阻效应和几何磁阻效应同存在 ms为磁阻平方系数 磁阻平方灵敏度为： ξ是常数， mx只与g有关， Ss 与l/b和厚度d有关。 Μn导磁率----又称导磁系数 1、弱场时的磁阻比为： 4.2.2 磁阻元件 直疑钳运医熊冕谍绥海掇揉戎暂弟罚纽菩膊脐矢栗右沮褐瞳墅揪瞥孝购嫉传感器课件第章传感器课件第章 2、强场时，磁阻比为： ∵ 强场时ρB/ρ0为常数， 只要形状一定，G一定，常数。 ∴ 在强磁场下RB与B成正比关系。 烷美犁吕删稚捡豆叫擅赡罢臀令蛀澳锨撕贩努虹法磕良袒竹降悦矽蛆架具传感器课件第章传感器课件第章 二、栅格型磁敏电阻→高灵敏电阻 在长方形磁阻上沉积许多金属短路条，分割成宽都b，l’/b1 的许多子元件。 设子元件