相变存储器高可靠性多值存储设计.pdfVIP

第45卷 第1期 复旦学报 (自然科学版) Vol.45No.1 2006年2月 JournalofFudanUniversity(NaturalScience) Feb.2006 文章编号:0427-7104(2006)01-0049-05 相变存储器的高可靠性多值存储设计 洪 洋，‘林殷茵，‘汤庭鳌，B‘omyChen2 (1复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海200433; 2.SiliconStorageTechnologyInc.，1171SonoraCourt,Sunnyvale,CA94086,USA 摘 要:基于相变存储器(PCM)已有的M R结构，提出一种以比值为导向的状态定义方法，以实现272R结构 下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下，可以实现单元内8态存储，同时对小尺寸验证，而 对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力 同样基于这种以比值为导向的状态定义，一种软硬件相结合 的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能. 关键词:相变存储器;272R;多值存储;一维比值空间;校验纠错码 中图分类号:TN402 文献标识码:A 相变存储器(PCM)是一种新型的非挥发半导体存储器，它的存储基于硫系化合物材料(如 Ge2Sb2Te5,GST)在电流脉冲下出现的快速相变1-「31.在PCM中，相变存储材料以电阻的形式出现，其机 理在于:相变材料可以在特定脉冲下，在具有两种不同结构、不同电阻率的状态间相互转化.这两种状态 是高电阻率的非晶态和低电阻率的多晶态.利用电阻的差别区分两种逻辑状态 0“”和 “1”是传统PCM的 核心.对比其他的非挥发存储技术，PCM具有很多优势，如:与CMOS工艺兼容性好，单元面积小，存储密 度高等.另外，相变材料可以被编写成阻值介于完全多晶态和完全非晶态之间的多种状态，且这些状态在 静态下的保持均无需任何激励.这意味着多值存储在PCM中将成为可能.随着特征尺寸的减小，PCM中 的相变材料因体积缩小，相变时所需的电流、时间和所占的面积都会同步下降，这使得PCM在向小尺寸 迈进时竞争力会不断凸现. 尺寸减小固然可以降低操作电流，但工艺波动更加不可忽 视，这将使相变电阻的几何尺寸发生一定的偏差.在小尺寸下， 偏差引发的几何尺寸及电阻的相对变化量可能会很大，尤其是 在芯片面积很大，芯片各个位置上干扰不同时.最终将使得两 种逻辑状态所对应的电阻范围(文献仁4」中图2.1.4所示)分布 得越来越发散[[51，进而导致两种逻辑状态间的电阻间距不断缩 小.这意味着系统噪声容限的降低，外围灵敏放大器(Sense Amplifier,S/A)和参考源的选用标准也将不断提高， 对于目前的PCM，主要有两种结构的存储单元:M R(即1 个晶体管和1个PCR构成1个存储单元，如图1)的结构，和 M R[2火存储单元由2个晶体管和2个相变电阻(phasechange resistor,PCR)构成)的结构.其中，BL为位线，WL为字线，以 下同M R单元面积小，存储密度高，但需外接参考源(如图1 图1 1TIR阵列 中的Vf)以实现2种逻辑状态(..O”和 “1”)的区分.在小尺寸 Fig.1 1TIRmemoryarray 下，2种逻辑状态对应的电阻范围越接近，较弱的抗干扰能力就越发突出，M R对S/A和参考源的要求 收稿日期:2005-03-24 作者简介:洪 洋(1980-)，男，硕士研究生;通讯联系人林殷茵副教授，E-mail:yylin@. 复旦学报(自然科学版) 第朽卷 就越苛刻.2T2R[2〕利用2个M R结构形成双位线互补对称输出，无需参考源.由于作用在同一单元内2 个PCR上的外界干扰近似相同，其结果等效于在S/A的两输人端施加共模信号，因而对存储信息几乎无 影响.因此，可靠性很高，但存储密度远低于M R方案. 据我们所知，目前还没有一种结构可以同时吸取这两者的优点.为此，提出一种新方案，在具备较好的 抗干扰能力下追求高