模电课件第1章常用半导体器件.pptVIP

半导体器件基础 从二极管的伏安特性可以反映出： 工作原理: 1. 3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 1. 输入特性 1. 输入特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 半导体三极管图片 输出特性曲线分为三个工作区，对应晶体管的三种工作状态。 (1) 放大区 iC/mA uCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 1 IB =0 大 放 区 3DG100晶体管的输出特性曲线 在放大区 IC = ?IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 Q1 Q2 iC/mA uCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (2) 截止时, 集电结也处于反向偏置(UBC 0),此时, IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。(ICEO0.001mA) 截止区 IC? 0, UCE? UCC 。 iC/mA uCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 IC ? UCC/RC 。 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)， 晶体管工作于饱和状态。 饱和区 三极管工作状态的确定： iC(mA ) uCE(V) IB=0 截止区 饱和区 放大区 截止区： 放大区： IB IC C E B 饱和区： 深度饱和电压： iC(mA ) uCE(V) IB=0 截止区 饱和区 放大区 IB IC C E B 例：已知 判断三极管工作状态。 结论： 时晶体管截止区 时晶体管在放大区。 时晶体管在饱和区。 设：三极管导通同时正向电压为0.7V 1.电流放大倍数 则交流电流放大倍数为： 1.3.4三极管的主要参数 (1)共射极接法电流放大倍数 β和β 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?iB，相应的集电极电流变化为?iC， b e c 共射放大电路 一. 主要参数 （2）共基极电流放大系数 和 共基电流放大系数: β和 的换算关系为: 共基放大电路 ? 、β为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 ， ? 1 。 2.极间反向电流 (1).集电极—基极反向饱和电流ICBO ICBO是指发射极开路，集电极和基极之间加反向电压时 产生的电流，也就是集电结的反向饱和电流。 作为晶体管的性能指标，ICBO 越小越好。硅管的ICBO 比 锗管的小的多。 V ICBO NPN管的ICBO测量 ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度影响大。 温度??ICBO? (2) 穿透电流ICEO ICEO是基极开路，集电极与发射极间加反向电压时的集电极电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 ICEO ICEO=( ? +1)ICBO 3. 极限参数 (1).集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 (2).集-射极反向击穿电压UBR(CEO) 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压UBR(CEO) 。 (3).集电极最大允许功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上