半导体三极管 5.ppt

. 第15章：半导体三极管 15.5 半导体三极管 简要总结 15.5 半导体三极管 基本结构 电流分配和放大原理 特性曲线 主要参数 三极管分为NPN型与PNP型二种，符号如图： 三极管的基本结构 三极管结构分类：平面型、合金型 三极管的结构示意图 三极管典型放大电路 三极管最典型的放大电路：共射放大电路； 正常工作三极管的发射结为正偏，而集电结为反偏。 三极管的电流分配 三极管加上电源接成共射电路； 发射区向基区扩散电子； 小部分电子在基区与空穴复合，大部分电子向集电结区域扩散； 在外电场的作用下电子渗过集电极透入集电区。 三极管的放大原理 三极管发射区扩散到基区并与基区空穴复合的少量自由电子与到达集电区的大量自由电子基本成比例，集电极电流可看作基极电流的放大; 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线 输出特性曲线 三极管输出特性三个区域的特点 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 且： IC = ?IB ，?IC = ??IB； 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 且：UCE?UBE，?IBIC，UCE?0.3V； 截止区：UBE 死区电压，且：IB=0，IC=ICEO ?0 。 三极管的主要参数 电流放大系数 ： 分别称为 静态电流（直流）放大倍数与动态电流（交流）放大倍数； 集—基极反向截止电流ICBO：发射极开路时通过反偏集电极的漏电流； 集—射极反向截止电流：ICEO：基极开路时集电极的漏电流； 集电极最大允许电流ICM：当?值下降至正常值的三分之二时的集电极电流； 集—射极反向击穿电压U(BR)CEO：基极开路，加在集电极与发射极之间最大允许电压； 集电极最大允许耗散功率PCM：正常工作状态下允许集电极耗散的最大功率。 三极管的重要参数与关系式 电流放大系数： 发射结导通压降UBE： 硅管UBE≈0.7V，锗管UBE≈0.3V； IE=IB+IC 三极管电路举例（一） IB=0.04mA, IC=1.5mA； 计算电流放大倍数 三极管电路举例（二） IB1=40uA, IB2=60uA, IC1=1.5mA, IC2=2.3mA； 分别计算静态与动态电流放大倍数 三极管电路举例（三） 电源电压15V RB=100K? RC=1K? ? =60 计算UCE 简要总结 课后练习 可选习题： 15.5.2 * * . . NPN型三极管 C B E B E C PNP型三极管 . C B E N型硅 N型硅 P型硅 C E B N型锗 P P . 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 集电结 发射结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 N P P C 集电极 基极 B 发射极 E . B E C RB RC V mV mA uA . N N P RB EB EC 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE IE IB IC 基极加正电压,发射结正偏 集电极加正电压集电结反偏 自由电子向集电区扩散,部分与基区空穴复合,基极正电源补充空穴形成基极电流IB 集电结反偏,阻挡集电区的自由电子向基区扩散,同时将发射区扩散到基区达到集电结边缘的自由电子拉入集电区,形成电流ICE . ? ：表征三极管的电流放大能力，称为电流放大系数. . UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V, 锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压：硅管0.5V锗管0.2V。 输入特性曲线 . IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区 截止区 放大区 . . . . . . B E C RB RC V mV mA uA E . 概念线索 .