半导体二极管、三极管 2.ppt

. . 三极管的电流放大作用：输出电流是输入电流的放大 IC IB 同样有: ? iC iB ? IC = ? ? IB 三极管具有电流分配作用： IE =IC +IB IC= ? IB . IB UBE 0 UCE ≥ 1V 死区电压 三极管的输入特性 发射结的伏安特性，即： PN结的正向特性 反映的是输入电压与输入电流之间的关系。 IB = f (UBE ) UC E = 常数 9.4.3 三极管的特性曲线 . IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 iC的大小受iB控制， 同时，在IB保持不变的情况下， iC的数值随uCE的增大略有增大。 反映的是输出电流和电压随输入电流的变化关系 . iC / mA uCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 60 μA 80 μA 饱和区 （2）截止区：IB≤0的区域，两结反 偏，管子基本不导电。 （1）放大区：发射结正偏，集电极 反偏。特性曲线的平坦部分。 有电流放大控制作用。 （3）饱和区：两结正偏，靠近纵轴 的区域。IB增加，IC不再增加， 不受IB的控制，IC只随UCE增加 而增加。 . 三极管的三种状态或工作区 1、放大状态： 2、截止状态： 3、饱和状态： 发射结正向导通； 集电结反向截止； IB与Ic成正比线性关系： 发射结截止； 集电结反向截止； IB=0、 发射结正向导通； 集电结正向导通； IB与Ic成不成正比线性关系： . 例题1： 如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：2.5V、1.8V、6.4V，则其对应的管脚极性依次为 ，该三极管为 型三极管，半导体材料为 。 解题思路： 判断管脚：放大区：B极电位居中，E极电位接近B极，C极电位远离B、E极。 判断类型：如C极电位最高，则是NPN型；如C极电位最低，则是PNP型。 判断材料： 为0.6～0.8V，是硅管；如为0.2～0.3V,是锗管。 NPN 硅 . 9.4.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反向击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! ? = IC IB 例题2： 已知某三极管的Ib=50±20μA ，Ic=20±18mA。则该三极管的β= ， 。 . 半导体光电器件 半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。 一、 光电导器件 当半导体材料受到一定波长光线的照射时，电阻率明显减小，或说电导率增大的特性——半导体的光电导特性 。 光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管、光电三极管等。 1、光敏电阻：电阻率对某一波长的光的照度敏感，并照度与电阻率呈线性关系。常见的是Cds半导体感光器件 主要指标：暗电阻、亮电阻、允许功耗、响应速度和光谱范围 CDS 符号 . 2、光电二极管和光电三极管 光电二极管是在反向电压下工作的。它的暗电流很小，但是其反向饱和电流在一定的反向电压范围内会随着光强的变化而变化，从而可以把光信号转为电信号。 光电二极管主要用于近红外探测器及光电转换的自动控制仪器中。 光电三极管通常无外接基极管脚，输出特性与普通三极管相似，不过IB主要由入射光的强度确定。 如在光电三极管的c、e极间加上电压，有光照时，基极电流产生并被放大输出；如无光照，则输出一个ICEO其数值极小。 光电二极管 光电三极管 * . 第9章 二极管和晶体管 9.2 二极管 9.3 稳压管 9.4 晶体管 第9章 目录 9.1 半导体的导电特性 9.5 光电器件 .