半导体三极管 推荐.ppt

. . H参数的确定 适用条件： . 2 用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路 输入电阻的意义及测量方法 . 输出电阻的意义及测量方法 . A B 例：求图示电路AB端口的输出电阻 . 例：在图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的?＝100， ＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。 （1）当 ＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA， 则 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。 （2）若测得输入电压有效值 =5mV时，输出电压有效值 ＝0.6V， 则电压放大倍数 ＝ ≈ 。 若负载电阻RL值与RC相等 ，则带上负载后输出电压有效值 ＝ ＝ V。 . 4.4 放大电路的工作点稳定问题 4.4.1 温度对工作点的影响 . 4.4.2 射极偏置电路 解决办法： 1、针对ICBO的影响； 2、针对VBE的影响 一般取 I1=（5~10）IB； VB=（3~5）V 静态分析 . 动态分析 输入电阻和电压放大倍数 . 输出电阻 . 有射极旁路电容的射极偏置电路 此图的静态和动态分析********** . . . 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 电压放大倍数 emitter follower 4.5.1 共集电极放大电路 . 输入电阻 input resistance . 一、熟悉晶体管特性曲线，掌握三种工作状态的特点。 主要内容及要求： 二、掌握常用的几种电路的结构、特点、放大条件。 三、熟练掌握各种电路的静态和动态分析。 四、了解放大电路的频率响应问题。 五、熟记共射、共集放大电路的输出电阻、输入电阻和电压放大倍数的表达式。尤其注意输出电阻的书写。 4 双极结型三极管及其放大电路基础 . 4 双极结型三极管及放大电路基础 （Bipolar Junction Transistor，BJT） 双极型 晶体管 4.1 （半导体）BJT 晶体管的几种常见外形 . . . 一、晶体管的结构和符号 N N P 集电结 发射结 集电区 发射区 基区 C B E N P P 集电区 发射区 基区 集电结 发射结 C B E B E C B E C 二、晶体管电流分配关系 . 三、晶体管放大作用条件：发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——外部条件。 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 放大条件 四、开启电压与工作电压 五、三种工作状态及特点 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏或零偏 发射结 饱和 放大 截止 . 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 . 结论： 1、BJT内部有两种载流子参与导电； 2、基极电流对射极和集电极电流的控制作用； 电流控制型器件 3、电流分配关系 三极管具有放大作用的内部条件和外部条件 1、内部条件： 2、外部条件： 发射结正偏； 集电结反偏。 外部条件 对于NPN型晶体管有 对于PNP型晶体管有 . 在电压放大中应用举例 . ? 例：已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子的三个极。 ? . 例：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子的三个极，并分别说明它们是硅管还是锗管,是什么结构。 ? . 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 1、共射极电路的特性曲线 （1）输入特性 三极管正常工作时： VBE=0.7V左右(Si) . （2）输出特性 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏或零偏 发射结 饱和 放大 截止 各种状态的偏置情况： . 4.1.4 BJT的主要参数 1、电流放大系数： 2、极间反向电流； 3、极限参数： （1）集电极最大允许电流ICM； （2）集电极最大允许功耗 PCM ； （3）反向击穿电压 . 4.1.5 温度的对BJT参数及其特性的影响 . 4.2 基本共射极放大电路 放大电路的主要技术指标 . 电路具有放大作用的条件： 1、看静态（直流）条件； 2、交流信号是否能够有效传输（交流通路与直流通路） 3、是否正确选择元件参数 GOTO 4.2.1 基本共射极放大电路的组成 . 例：判断以下各图是否具有放大作用。 （电容的容量足够大） . 4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理 1、静态（直流工作状态）分析（意义） 即为静态 . 2、动态 . 4.3 放大电路的分析方法 1、静态工作点的图解分析 4.3.1 图解分