半导体二极管和三极管 14.ppt

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半导体二极管和三极管 14

. 教学内容: 1、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和电流放大作用; 2、了解二极管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义; 3、会分析含有二极管的电路。 教学重点 1、PN结的形成及其单向导电性; 2、二极管的工作原理和特性曲线,含有二极管的电路分析计算; 3、 三极管的电流分配和电流放大作用; 4、 三极管的特性曲线的含义。 教学难点 1、PN结的形成及其单向导电性; 2、含有二极管的电路分析计算; 3、 三极管的特性曲线的含义。 8.1.2 N型半导体和 P 型半导体 8.1.2 N型半导体和 P 型半导体 8.2 PN结 8.2.1 PN结的形成 8.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 8.3 半导体二极管 8.3.1 基本结构 8.3.2 伏安特性 8.3.2 伏安特性 8.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 1. 二极管半波整流——利用二极管的单向导电性,将交流电变为单方向的电流 2.钳位—利用二极管正向导通时压降很小,将电位钳制在某一值附近 8.4 半导体三极管 8.4.1 基本结构 8. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 8.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 8.4.4 主要参数 1. 电流放大系数,? . 二极管正向导通时的压降为0.3V 二极管D1优先导通,所以Y点电位 由于此时 二极管D2外加反向电压,所以截止 . 3. 限幅——利用二极管正向导通后其两端的电压很小且基本不变,使其输出电压的幅值不超过某一数值 . 电路如图,求:UAB V阳 =-6 V V阴 =-12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB =- 6V 否则, UAB低于-6V一个管压降,为-6.3V或-6.7V 例1: 取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里,二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – . 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =-6 V,V2阳=0 V,V1阴 = V2阴= -12 V UD1 = 6V,UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通, D1截止。 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB = 0 V 例2: D1承受反向电压为-6 V 流过 D2 的电流为 求:UAB 在这里, D2 起钳位作用, D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – . ui 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V ui 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui 已知: 二极管是理想的,试画出 uo 波形。 8V 例3: 二极管的用途: 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 动画 . N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号: B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 . 基区:最薄, 掺杂浓度最低 发射区:掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点: 集电区: 面积最大 . B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB . IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1)三电极电流关系 IE = IB + IC 2) IC ?? IB , IC ? IE 3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制

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