半导体二极管和三极管 13.ppt

. * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * . 3.稳压二极管 ui = 10sinωtV： ui正半周，当ui UZ，DZ 反向击穿，uO = 5V 当ui UZ，DZ 反向截止，uO = ui ui负半周，DZ 正向导通，uO = 0V ui 10V 5V . 4.半导体三极管 1 基本结构 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 N N P 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 . 4.半导体三极管 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结：面积大 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 . 4.半导体三极管 2 工作状态 （1）晶体管中电流的分配 三极管放大的外部条件: B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP：VCVBVE 从电位的角度看： NPN：VCVBVE . 4.半导体三极管 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 三电极电流关系 ： IE = IB + IC IC ?? IB ， IC ? IE ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 动画 . 4.半导体三极管 （2）晶体管中载流子运动过程 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 . 4.半导体三极管 （2）晶体管中载流子运动过程 ＋ ＋ － － Ucc UBB RB RC B E C 动画 . 4.半导体三极管 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与IBE 之比称为共发射极直流电流放大倍数 若IB =0, 则 IC? ICE0 . 4.半导体三极管 3 特性曲线 测量晶体管特性的实验线路 EC IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB V + + – – – – + + 输入回路 输出回路 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 . 4.半导体三极管 三极管输入特性曲线 . 4.半导体三极管 结论 (1) 输入特性是发射结的正向特性，它是一条非线性曲线。 (2) 只有当加在发射结的电压大于死区电压时，晶体管才会出现基极电流。 (3) 正常工作时，NPN型硅管的发射结电压UBE=0.6～0.7V, PNP型锗管的发射结电压UBE=-0.2～-0.3V。 . 4.半导体三极管 三极管输出特性曲线 动画 . 4.半导体三极管 晶体管的工作状态 动画 . 4.半导体三极管 (1) 放大区 在放大区有IC=?IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 结论 （2）截止区 IB 0以下区域为截止区，有IC ?0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 （3）饱和区 当UCE?UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 . 4.半导体三极管 4 主要参数 电流放大系数，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20～200之间。 . 4.半导体三极管 例7 在UCE=6V时，在Q1点；IB=40?A,IC=1.5mA； 在Q2点IB=60?A, IC=2.3mA。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 在Q1点，有 由Q1和Q2点，得 在以后的计算中