半导体器件及显示装置的制造方法.doc

中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会 复审请求审查决定200480003254.3 优先权日 2003年2月6日 申请日 2004年1月30日 公开日 2006年3月8日 合议组组长 孙治国 主审员 张媛媛 参审员 田 宁 法律依据 专利法第22条第3款 决定要点： 一项权利要求与一篇对比文件相比存在区别特征，其中某些区别特征被另一篇对比文件所披露，且所述区别特征在该另一篇对比文件中所起的作用与其在权利要求的技术方案中所起的作用相同，而其他区别特征为本领域的公知常识，则应当认为现有技术中给出了将上述区别特征应用到所述对比文件中以解决其所存在的技术问题的技术启示。 案由 本复审请求涉及申请号为200480003254.3、名称为“”的发明专利申请（以下称“本申请”），其优先权日为2003年2月6日、申请日为2004年1月30日、进入中国国家阶段日为200年月日、中国公开日为2006年月日，申请人为。在实质审查程序中，国家知识产权局实质审查部门（下称原审查部门）于2008年月日针对申请人于200年月日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文文本中的说明书第1-页、说明书摘要及摘要附图，和于2008年月日提交的权利要求第1-项作出了驳回决定。驳回决定中引用篇对比文件：驳回决定的主要理由是：相对对比文件1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定针对的权利要求书的内容如下： “合议组于200年月日向复审请求人发出复审通知书指出：复审请求人于2009年6月30日针对第一次复审通知书提交了意见陈述书和权利要求第1-22项的全文修改替换页合议组于200年月日向复审请求人发出复审通知书指出：复审请求人于2009年月3日针对第次复审通知书提交了意见陈述书和权利要求第1-22项的全文修改替换页合议组于200年月日向复审请求人发出复审通知书指出：复审请求人于2009年月日针对第次复审通知书提交了意见陈述书权利要求全文修改替换页“1．一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有 通过采用压电方式喷射导电性材料，在基板上形成布线的工序、 通过采用压电方式喷射抗蚀剂材料，在所述布线上形成抗蚀剂掩膜的工序、以及 以所述抗蚀剂掩膜作为掩膜，使用将多个等离子体发生单元呈线状排列的、用它们来一个个形成等离子体的大气压等离气体装置对所述布线局部地进行刻蚀的工序， 各等离子体发生单元具有用于发生等离子体的第1电极以及具有包围第1电极的形状的第2电极， 第1电极具有锐角形状，并且比第2电极要长。 2．一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有 通过采用压电方式喷射导电性材料，在基板上形成布线的工序、 通过采用压电方式喷射抗蚀剂材料，至少在所述布线上形成抗蚀剂掩膜的工序、以及 以所述抗蚀剂掩膜作为掩膜，使用将多个等离子体发生单元呈线状排列的、用它们来一个个形成等离子体的大气压等离气体装置对所述布线局部地进行刻蚀的工序， 各等离子体发生单元具有用于发生等离子体的第1电极以及具有包围第1电极的形状的第2电极， 第1电极具有锐角形状，并且比第2电极要长。 3．如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在喷射所述导电性材料或所述抗蚀剂材料时，将所述基板预先加热。 4．如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在大气压或大气压附近的压力下，进行所述刻蚀的处理。 5．一种采用半导体器件的显示装置的制造方法，其特征在于，具有 通过采用压电方式喷射导电性材料，在基板上形成布线的工序、 通过采用压电方式喷射抗蚀剂材料，在所述布线上有选择地形成抗蚀剂掩膜的工序、以及 以所述抗蚀剂掩膜作为掩膜，使用将多个等离子体发生单元呈线状排列的、用它们来一个个形成等离子体的大气压等离气体装置对所述布线局部地进行刻蚀的工序， 各等离子体发生单元具有用于发生等离子体的第1电极以及具有包围第1电极的形状的第2电极， 第1电极具有锐角形状，并且比第2电极要长。 6．一种采用半导体器件的显示装置的制造方法，其特征在于，具有 通过采用压电方式喷射导电性材料，在基板上形成布线的工序、 通过采用压电方式喷射抗蚀剂材料，至少在所述布线上形成抗蚀剂掩膜的工序、以及 以所述抗蚀剂掩膜作为掩膜，使用将多个等离子体发生单元呈线状排列的、用它们来一个个形成等离子体的大气压等离气体装置对所述布线局部地进行刻蚀的工序， 各等离子体发生单元具有用于发生等离子体的第1电极以及具有包围第1电极的形状的第2电极， 第1电极具有锐角形状，并且比第2电极要长。 7．如权利要求5至6的任一项所述的采用半导体器件的显示装置的制造方法，其特征在于， 在喷射所述导电性材料或所述抗蚀剂材料时，将所述基板预先加热。 8．如权利要求5至6的任一项所述的采用半导体器件