半导体器件的特性.ppt

电 子 学 基 础 第一章 半导体器件的特性 §1.1 半导体的导电特性 §1.2 PN结 §1.3 二极管 §1.4 双极型晶体管 §1.5 场效应管 §1.1 半导体的导电特性 一、本征半导体的导电特性 二、杂质半导体的导电特性 一、本征半导体的导电特性 自然界的各种物质，根据其导电能力 的不同，可分为导体、绝缘体和半导体三 大类。通常将电阻率小于10－4Ω·cm的物质 称为导体，例如铜、铝等金属；电阻率大 于109Ω·cm的物质称为绝缘体，例如橡胶、 塑料等；导电性能介于导体和绝缘体之间 的物质称为半导体。大多数半导体器件所 用材料主要是硅(Si)和锗(Ge)。 二、杂质半导体的导电特性： 本征半导体中虽存在两种载流子，但 因本征载流子浓度很低，所以导电能力很 差。若在本征半导体中掺入某种特定的杂 质，成为杂质半导体，则它们的导电性能 将发生显著变化。 根据掺杂的不同，杂质半导体可分为 N型和P型两种。 1、 N型半导体 如果在硅或锗的晶体中掺入少量的5价元素， 如磷、砷、锑等，则原来晶格中的某些硅原子将被 5价杂质原子代替。由于杂质原子最外层有5个价电 子，因此它与周围4个硅原 子组成共价键时多余一个电 子。这个电子不受共价键的 束缚，只受自身原子核的吸 引，这种束缚较弱，在室温 条件下即可成为自由电子， 如图所示。 2、P型半导体 如果在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素, 如硼、镓、铟等，此时 杂质原子最外层有3个 价电子，因此它与周围 4个硅原子组成共价键 时，由于缺少一个电子 而形成空穴，如图所示。 §1.2 PN结 一、PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 一、 PN结的形成： 如果将一块半导体的一侧掺杂成 P型半导体，而另一侧掺 杂成 N型半导体，则在交界处将形成一个PN结(PN junction)。 如图所示，当P型与N型半导体结合时，由于P型半导体空穴浓 度大，N型半导体中的自由电子浓度大，空穴将由 P区向 N区 扩散，自由电子则由N区向P区扩散。进入P区的电子及进入N 区的空穴，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个 由不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，也就是PN结。 1、 加正向电压，PN结导通： 当外电源的正极接P区，负极接N区时， PN结加的是正向 电压，称为正向偏置。此时外电场与内电场的方向相反，削弱 了内电场，使空间电荷区变窄(VD降低)，有利于多子扩散，而 不利于少子漂移。扩散电流将大大超过漂移电流,在回路中形 成较大的正向电流，称 PN结处导通状态，呈现的电阻很小。 2、加反向电压，PN结截止： 外电源正极接N区，负极接P区时，PN结加的是反向电压 称为反向偏置。这时的外电场Eo与内电场Ei方向一致，加强了 内电场，空间电荷区变宽，不利于多子的扩散，有利于少子的 漂移。漂移电流超过扩散电流。在回路中产生由少子漂移形成 的反向电流。因反向电流很小，称PN结处于截止状态, 呈现很 大的电阻。 §1.3 二极管 一、二极管的结构 二、二极管的伏安特性 三、稳压二极管 四、二极管电路 一、二极管的结构 在PN结两端引出相应的电 极并加上外壳，就制成一个半 导体二极管，如图所示。由P区 引出的电极叫正(或阳)极(A)， 由N区引出的电极叫负(或阴)极 (K)，符号中的箭头方向表示正 向导通(即电流)方向。 二、二极管的伏安特性： 1、PN结的伏安特性 理论证明，流过PN结的电流与PN结两 端的电压之间的关系为 式中， 称为温度的电压当量，其中 k 为玻耳兹曼常数，T为热力学温度，q为电 子的电量。在室温(300K)时， 。 2、二极管的伏安特性 (1) 正向特性 当加在二极管上的正向电 压比较小时，外电场不足以克 服内电场对多子扩散的阻力， 正向电流几乎为零(OA段)。只 有当加在二极管两端的正向电 压超过某一数值时，正向电流 才明显增大。正向特性上的这一数值(A点)通常称为“门限电 压”或“开启电压” 。开启电压的大小与二极管的材料以及温 度等因素有关。硅二极管的开启电压为0.5V左右；锗二极管 的开启电压为0.1V左右。当正向电压超过开启电压以后，电 流与电压的关系基本上是一条指数曲线。二极管正常导通工 作时的管压降，硅管通常为0.7V，锗管0.3V。 (2) 反向特性 由图可见，当在二极管上加载反向电压时，反 向电流的值很小。且当 反向电压超过零点几伏 后，反向电流基本不再 随着反向电压的增大而