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第一章 概論 Ⅰ.電子學（Electronics） 一、概論 1. (1) 電子學（Electronics） I?lεk?trαnIks ] 電子n.）：Electron [ I’lεktrαn ] 琥珀 ：Elektron (2) Electro 電 Electrometer Electro“電meter“測量器” Electromotor 電動機：Electro“電motor “引擎、馬達” Electromagnet 電磁鐵：Electro“電magnet“磁” Electrode 電極：Electro“電iode 二極體：Di“二” 2.主角：電晶體（放大）（1947年12月23日，貝爾實驗室） 3.定義：密爾曼（Jacob Millman）：「電子學是討論電質點在氣、真空半導中遷移passage）的科學和工程學。 Ⅱ.電子學發展的歷史 孕育期 1865年，馬克斯威爾（James Clerk Maxwell）發表電磁學理論 1895年，羅蘭兹（Rollands）提出電子電荷存在的理論 1897年，湯姆遜（Thomson）從實驗發現了電子的存在 一、真空管時期（1897年～1947年） 1897年，布朗（Karl Ferdinand Braun）製造出第一個真空管(原始的陰極射極管(CRT)) 原始的陰極射極管 現今的真空管 1904年，弗萊明（John Ambrose Fleming）發明了二極管，其中包含一個發射電子的加熱燈絲和一個屏極 1906年，德弗斯特發明具有控制棚極和放大作用的三極管 1912年，阿姆斯壯（Armstrong）發明了再生式放大器，具有正回授與持續震盪的特性 1917年，阿姆斯壯又發明了超外差接收機，及防止不必要震盪的中和電路 1928年，美國軍方在三級管的柵極與屏極間加一簾柵極而完成了四極管，增加對電子流動的控制 1929年，美軍又在四極管的屏極與簾柵極間加上了一個抑柵極消除了四極管的負電阻特性 1946年，伊葛特（Eckert）及毛奇利（Mauchly）合力完成第一座真空式計算機，用來計算軍事上的彈道線 電晶體時期（1947年～） 1947年12月23日下午，美國貝爾實驗室裏誕生了世界上第一個電晶體。布拉登（W. H. Brattain）和巴丁（J. Bardeen）在一項實驗進行期間，將兩根靠近的金線探針壓到一塊鍺晶體的表面。結果發現在〝集極〞探針上的電壓輸出(相對於鍺基而言)高於〝射極〞探針上的輸入。他們兩人立刻確認這正是他們所期望的效應，於是固態放大器(點觸式電晶體)誕生了。但這第一個電晶體的效能極差。增益小和頻帶窄，雜訊干擾大，而且每個裝置(device)的參數都有很大的變化。蕭克萊（W Schochley）認為這項困難是發生在金屬的觸點上。他立刻提議製作接面電晶體，並設計出它的工作原理。 第一個點觸式電晶體 第一個接面式電晶體 1950年，狄耳（Teal）做出了第一個接面式電晶體，其增益頻帶寬度與雜音均有很大的改善 1951年，電晶體開始商業化的生產，如西方電氣、RCA西屋公司及通用電氣等 1952年，美軍基金會撥出經費從事半導體研究，美軍主要是將這些裝置應用到飛彈，因電晶體體積小，重量輕，性能優且可靠 1954年，德州儀器公司正式發表了矽晶體，目前大多數的半導體裝置是用矽製造 積體電路時期（1959年～） 小型積體電路時期(small scale integration，簡稱SSI)，每晶片含100個零件以下 1959年，德州儀器公司的 開爾貝(Kilby)， 第一顆IC（積體電路） 他利用大塊半導體做成電阻，也製造擴散電阻，PN接面電容器與平頂型電晶體，取名為固態電路 ② 1960年，飛捷公司(Fairchild)製造了RTL積體電路 ③ 1961年，飛捷公司又完成了TTL的設計 ※IC（Integrated Circuit）時期 SSI（Small-Scale Integration） MSI （Medium-Scale Integration） LSI （Large-Scale Integration） VLSI （Very-large-Scale Integration） ULSI （Ultra-large-Scale Integration） 邏輯閘個數 12個以下 （個） 12~100個 （十） 100~1000個 （百） 1000個～10000 （千） 10000個以上 （萬） 電子元件個數 100個以下 100~1000個 1000~10000個 10000～100000個 100000個以上 註：1個邏輯閘約10個電子元件 中型