大功率半导体激光器阵列热串扰行为 - 强激光与粒子束.PDFVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２５ ８ Ｖｏｌ．２５ Ｎｏ．８ 　 　 年 月 ， ２０１３ ８ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ａｕ． ２０１３ 　 ｇ 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２０１３０８１９０４０７ 　 大功率半导体激光器阵列热串扰行为 １ １ １ １ １ 张志勇 ， 张 普 ， 聂志强 ， 李小宁 ， 熊玲玲 ， 　 　 　 　 　 ， １ １ １２ 刘 晖 ， 王贞福 ， 刘兴胜 　 　 　 （ 中国科学院 西安光学精密机械研究所，瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 ； １． ７１０１１９ ２．西安炬光科技有限公司，西安 ７１０１１９） 摘 要： 以硬焊料传导制冷， 填充因子半导体激光器阵列为例，建立了三维有限元模型，对阵列内部 ３０％ 　　 　 　 各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明，当其连续波工作时间大于 １．２ｍｓ后，阵列内发光 单元之间出现热串扰现象；当次热沉由ＣｕＷ合金改为铜金刚石复合材料时，阵列内发光单元自热阻和相邻发 光单元的串扰热阻降低，有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单 元周期不变，发现随阵列填充因子的增加，器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低，而发光单元间的热串扰特性对 此变化并不敏感；保持阵列单个发光单元输出功率，发光单元尺寸及阵列宽度不变，增加发光单元个数后，阵列 内各发光单元之间热串扰加剧，填充因子越高阵列升温速率越快；但在最初约 ７０ ｓ内，包含不同数目发光单 μ 元的阵列最高温度差异仅约 ０．５℃，有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。 关键词： 激光器； 热串扰； 有限单元法； 半导体激光器阵列； 热阻 　　 　 　 　 　 　 中图分类号： 文献标志码： ： ／ ＴＮ２４８．４ Ａ 犱狅犻１０．３７８８ＨＰＬＰ１９０４ 　　 　 　　　　 　 　　 　　大功率半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、可靠性高和寿命长等优点，被广泛地应用于固 ［ ］