晶体管的特征频率fT.PDFVIP

晶体管的特征频率fT 作者：无锡固电半导体股份有限公司ISC 技术部，保留一切版权，任何人和公司不得转载 晶体管有高频管和低频管之分，一般来说低频管只能用在1MHz 以下的频率范围；高频 管则可以用到几十或几百MHz 的高频范围。如果使用频率超过了晶体管的频率范围，则晶 体管的放大特性就显著的变坏，甚至无法使用。晶体管放大特性的变坏是由于讯号频率超过 某一值以后，晶体管的电流放大系数开始下降而造成的。 0 晶体管的共射极电流放大系数β与信号频率f 的关系式如下： ， f 1j f  β 为低频时的放大倍数，f 为共射极的截止频率，即共射极电流放大系数β下降到 0 β 0.707β 的频率。如图所示：晶体管发射极电流放大系数β随频率的变化曲线。 0 在频率较低时，β基本不随频率变化；当频率较高时，β值随频率的升高而下降； f 是 T β等于1时的f 值，此时有Βx f fT。 当频率低于f 时，β1，晶体管有电流放大作用；当f f ，β1，没有电流放大作用， T T 所以f 是晶体管可以起电流放大作用的最高频率的限度，是设计电路的一个重要依据。 T （本公司ISC 保留一切版权、著作权，任何个人和组织未经本公司书面同意，不得非法转载、 复制、发表部分或全部内容。）