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GaN—第三代半导体的曙光;目录;研究背景;以硅和锗为代表的第一代半导体材料的研究已经非常完善，并且应用广泛，硅材料是电子信息产业中最主要的材料，但其带隙较窄，而且是间接带隙半导体，发光效率比较低，制约了其在光电子和高频率、大功率器件等领域的应用。 作为第二代半导体材料代表的 GaAs、InP，带隙和能带结构都比第一代半导体材料更有优势，目前主要应用在要求高速和高发光效率的光电子领域等。 为了制造更大功率的发光器件，实现三原色所必需的蓝色和高密度的存储设备，人们越来越关注禁带宽度大，直接带隙的材料，这就是第三代半导体材料。 ;;; ;GaN结构和性能;;光学性质;电学性质;GaN制备方法;衬底的选择： 不同的衬底会影响GaN外延层的晶体结构和光学性能[1]，目前，使用蓝宝石衬底较多[2]，同时也有Si、SiC、 Al2O3和LiAlO2衬底等。;卤化物汽相外延(HVPE); 采取HVPE法可在30×30mm2的GaN衬底上生产出400-450μm的GaN晶圆，用机械分离的技术即可剥离。;金属有机化学气相沉积(MOCVD);优点： （1）精确控制气体流量来控制外延层组分、导电类型、载流 子浓 度、厚度等； （2）气体流速快，切换迅速，使杂质分布陡峭； （3）可以同时生长多片(目前最多可以同时生长55片2英寸)， 产量高； （4）原位监