半导体薄的制备实验的特殊性及教学尝试.pptVIP

半导体薄膜的制备实验的特殊性及教学尝试;四级物理实验的宗旨;达到以上要求的难点（对三、四级实验而言）;解决方法：;下是计算机部分演示;透明导电ZnO薄膜及金属电极的制备演示; ; （1）薄膜材料 应用领域：材料科学、能源、信息 、微电子工业等;尤其宽 禁带半导体光电功能材料，已成为各国研究的重 点。 研究目的：利用新材料制备具有最佳性能的器件 提高 生产率，降低成本; 发展方向：透明导电薄膜、具有低电阻、 高透射率等 可作为透明导电窗口.;; 1、真空蒸发原理： 真空条件下---蒸发源材料加热--- 脱离材料表面束缚---原子分子作直 线运动----遇到待沉积基片---沉积 成膜。 2、真空镀膜系统结构： （1）真空镀膜室 （2）真空抽气系统 （3）真空测量系统 ;;;涡轮分子泵结构示意图;热偶规工作原理： 一对热电偶A、B与一对加热钨丝焊接在一起， 在电流恒定不变时，热丝温度取决于管内气体的 热导率K，K正比于分子平均自由程和气体浓度. 在-1托至-4托范围内,随着真空度的提高,电偶电动势也增加,因而可由热电偶电动势的变化来表示管内气体的压强. (需要注意的是,当真空度更高时,由于热传导非常小,电偶电动势变化不明显时,就需要改用其它方法测量了) ;热阴极电离规工作原理: 从发射极F发射出电子, 经过栅极G使电子加速,加速 电子打中管内气体分子时,使 气体分子电离,正离子被收集 极C吸收,收集极电路中的微 安表记录正离子流Ii的变化, 而电子流在栅极附近作若干 次振荡后被栅极吸收,由栅极 电路中的毫安表记录电子流Ie. 需要注意的是:真空度低于 -3托时不能用电离规直接测量, 原因是在低真空条件下,加热的 灯丝容易氧化而烧断.;; 溅射原理： 所谓溅射，就是向高真空系统内加入少量所需气体（如氩、氧、氮等），气体分子在强电场的作用下电离而产生辉光放电。气体电离后产生的带正电荷的离子受电场加速而形成为等离子流，它们撞击到设置在阴极的靶材表面上，使靶表面的原子飞溅出来，以自由原子形式与反应气体分子形成化合物的形式沉积到衬底表面形成薄膜层。（也称阴极溅射法） ;磁控射频溅射系统结构;磁控射频溅射工作原理洛仑兹力：F = q( E + v?B );; 1、靶材概述 ;实验思考题;场景对话：实验过程的一般描述及问答(多数未列入实验指导书和计算机演示中） ;描述一：;;描述二 ：;;;描述三 ：;;;评分标准 ：;如何切入科研实践 ;Si衬底表面氮化硅薄膜的生长-----四级物理实验的学生设计刘洋1刘锦涛1闫丛玺1 刘科1 徐季东1董磊1 李强1 张静1朱军1 徐生年1许小亮2  1：安徽合肥中国科学技术大学天文与应用物理系00级 2：安徽合肥中国科学技术大学物理系（指导教员） ;教员指导下的学生讨论与调研;缓冲层的作用;在生长缓冲层方面国际上通行的方法 ;日本研究人员 方法的缺点; ; ;谢谢大家！