第二章 NandFlash博客精辟解析(附加程序).docVIP

NAND Flash控制器 S3C2410板的Nand Flash支持由两部分组成:Nand Flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和Nand Flash存储芯片(K9F1208U0B)两部分组成。当要访问Nand Flash中的数据时,必须通过Nand Flash控制器发送命令才能完成。所以Nand Flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 为了支持NAND Flash的启动装载，S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，NAND Flash存储器的前4KB将被自动加载到Steppingstone中，然后系统自动执行这些载入的启动代码。 一般情况下，这4KB的启动代码需要将NAND Flash中的内容复制到SDRAM中。使用S3C2410A内部硬件ECC功能可以对NAND Flash的数据进行有效性的检查。复制完成后，将在SDRAM中执行主程序。 NAND Flash控制其具有以下特性： * NAND Flash模式：支持读/擦除/编程NAND Flash存储器。 * 自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。 * 具备硬件ECC（校验码：Error Correction Code）生成模块（硬件生成校验码，通过软件校验） * NAND Flash启动以后，4KB的内部SRAM缓冲器Steppingstone可以作为其他用途使用。 * NAND Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/STM指令来代替DMA操作。 自启动模式的执行步骤如下： （1）完成复位 （2）如果自动启动模式使能，NAND Flash存储器的前4KB自动复制到Steppingstone内部缓冲器； （3）Steppingstone映射到nGCS0； （4）CPU在Steppingstone的4KB内部缓冲器中开始执行启动代码。 注意：在自动启动模式下，不进行ECC检测。因此，应确保NAND Flash的前4KB不能有位错误（一般NAND Flash厂家都能确保）。 NAND Flash模式需要进行以下配置： （1）通过NFCONF寄存器设置NAND Flash配置； （2）将NAND Flash命令写入NFCONF寄存器； （3）将NAND Flash地址写入NFADDR寄存器； （4）通过NFSTAT寄存器检查NAND Flash状态，并读/写数据。在读操作之前或者编程操作之后应该检查R/nB信号。 引脚配置 D[7：0] 数据/命令/地址的输入/输出口（与数据总线共享） CLE 命令锁存使能（输出） ALE 地址锁存使能（输出） nFCE NAND Flash片选使能（输出） nFRE NAND Flash读使能（输出） nFWE NAND Flash写使能（输出） R/nB NAND Flash就绪/忙（输入） 系统启动和NAND Flash所需的配置如下： （1）OM[1：0]=00b：使能NAND Flash控制器为自动启动模式； （2）NAND Flash存储器的页面大小应该为512字节； （3）NCON：NAND Flash存储器寻址步数选择。0为3步；1为4步寻址。 相关寄存器 NAND Flash配置寄存器 NFCONF 地址0x4E000000 NAND Flash命令设置寄存器 NFCMD 地址0x4E000004 NAND Flash地址设置寄存器 NFADDR 地址0x4E000008 NAND Flash数据寄存器 NFDATA 地址0x4E00000C NAND Flash操作状态寄存器 NFSTAT 地址0x4E000010 NAND Flash ECC寄存器 NFECC 地址0x4E000014 下面针对三星的K9F1208U0M为例说明nand flash的读写。 NAND Flash物理组成 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的： 1block = 32page 1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(oob) 需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。按照这种组织方式形成三类地址