输运理论与溶质分凝.pptVIP

第四章 输运理论与溶质分凝 通过对晶体生长过程的深入理解，实现对晶体制备技术研究的指导和预言。研究对象是晶体生长这一复杂的客观过程，研究内容相当庞杂。某些理论在生长实践中得到了应用，起了一定的指导作用。人们对晶体生长过程的理解有待进一步深化。 前言： 当某一物理量（如热量、质量或动量等）在空间分布不均匀时，就会有该物理量流的流动，这就是输运现象，而各种不同形式的输运效应是相互联系的。输运现象与物理量空间分布的梯度有关，即梯度是造成输运的驱动力。 输运过程是晶体生长的重要阶段。当晶体从浓厚环境相生长时，结晶潜热必须从生长界面传输出去，这是热量输运；当晶体从稀薄环境相生长时，生长基元需要首先输运到生长界面，然后才进行界面过程，这是质量输运。 输运效应限制晶体的生长速率、支配生长界面的稳定性。 ⅰ）稀薄环境相的自由生长机制： 当晶体生长的母相介质是气相或溶液相时，环境相和晶相的质点密度有很大差别，称之为稀薄环境相。生长过程遵从自由生长机制。 特点： 驱动力场为近似均匀； 晶面的生长速率仅取决于该晶面的生长机制和生长动力学规律； 驱动力为过饱和度，质量输运为主要的输运过程； 晶体的自范性得以完美体现。 ⅱ） 浓厚环境相的强制生长机制：