超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．16(2015) 167305 超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热 载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性冰 刘畅 )2) 卢继武2) 吴汪然 )2) 唐晓雨 )2) 张睿2) 俞文杰3) 王曦3) 赵毅1)2)4)t 1)(南京大学电子科学与工程学院，南京 210093) 2)(浙江大学信息与电子工程学系，杭州 310027) 3)(中国科学院上海信息技术与微系统研究所，上海 200050) 4)(浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027) (2015年2月5日收30；2015年4月23日收到修改稿) 随着场效应 晶体管 (MOSFET1器件尺寸 的进一步缩小和器件新结构的引入，学术界和工业界对器件 中热载流子注入 (hotcarrierinjections，HCI1所 引起的可靠性 问题 日益关注．本文研究了超短沟道长度 (L=30—150nm)绝缘层上硅 (silicononinsulator，SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理． 研究结果表 明，在超短沟道情况下，HCI应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻．通过研究不同栅长器件 的恢复特性可 以看出，该现象是 由于随着沟道长度的减小，HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大 而导致的．此外，本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶 体管 (FinFET)中的结果相反．因此，在超短沟道情况下，SOI平面M0SFET器件有可能具有比FinFET器 件更好的HCI可靠性． 关键词：绝缘层上硅，场效应晶体管，热载流子注入，沟道长度 PACS：73．40．Qv，73．63．一b DOI：10．7498／aps．64．167305 栅极氧化层 中，从而 以陷阱电荷或者界面陷阱的 1 引 言 形式对器件造成新的损伤．从器件特性来看，HCI 效应将导致器件阈值 电压 (h)的增大 饱和 电流 热载流子注入 (hotcarrierin{ections，HCI)所 ( t)的下降和最大跨导 (g．)的减小． 引起的器件特性退化一直是场效应晶体管 fMOS— 从 图1中HCI效应的基本物理图像可 以看 出， FET)器件可靠性研 究中的一个重要课题． 当 如果维持栅极电压 ()和漏端电压 ()不变，随着 MOSFET处于开启状态时，在靠近漏端 的沟道 栅极长度 的减小，横 向电场将会增大，HCI效应将 处是高电场强度的耗尽层，因此反型层 中的载流子 会更加严重，己有很多文献报道 了类似 的结果 [1】． 在这个区域中不断得到加速，从而获得足够的动能 然而实际情况是随着栅长的减小，MOSFET器件 成为热载流子，热载流子与晶格产生碰撞电离而产 的电源 电压或者 和 都在不断减小，电场强度 生 电子空穴对．这些新 电子和空穴在纵 向电场作 并未明显增大，因此在很长一段时间内，MOSFET 用下，部分可 以越过Si—Si02之间的势垒而注入到 器件并未遇到HCI效应变严重的现象． 国家重点基础研究发展规划 (批准号：2011CBA00607)、国家自然科学基金 (批准号、浙江省 自然科学基金 (批准号 LR14F040001)和功能信息材料国家重点实验室开放课题 (批准号：SKL201304)资助的课题． t通信作者．E—mail：yzhao@nju．edu．cn @2015中国物理学会Chin