氮化铝半导体简介.pptVIP

氮化铝（AlN）半导体 梁龙跃 201411922 1.前言 半导体材料的发展： 1.第一代半导体：以Si，Ge半导体材料为代表； 2.第二代半导体：以GaAs，InP半导体材料为代表； 3.第三代半导体：以碳化硅（SiC），氮化镓（GaN），氧化锌（ZnO），金刚石和氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点。 从第三代半导体材料和器件研究发展现状来看，较为成熟的是SiC和GaN半导体材料，其中SiC技术最为成熟，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。 2.AlN半导体的结构与性质 氮化铝（AlN） AlN的晶体结构 1862年，Bfiegleb和Geuther利用熔融态Al与N2反应，第一次成功合成AlN化合物；AlN晶体具有稳定的六方纤锌矿结构，晶格常数a＝3.110?，c=4.978?；纯AlN晶体是无色透明的，但由于晶体中存在的杂质离子和本征缺陷，AlN晶体通常呈黄色 或琥珀色； 根据实验验证和理论推算，AlN在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中具有最大的直接带隙宽度，约6.2eV。 AlN 的多种优异性能： 1.禁带宽度6.2eV, 并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料; 2.热导率高, 电阻率高, 击穿场强大, 介电系数小,是优异的高温、高频和大功率器件