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InGaAsMOSFET的电容电压特性-微电子学
第 卷第 期 微 电 子 学 ,
45 1 Vol.45 No.1
年 月
2015 2 Microelectronics Feb.2015
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InGaAsMOSFET的电容电压特性
,
陈 军 黄大鸣
( , )
复旦大学 微电子学系 专用集成电路与系统国家重点实验室 上海 201203
: , ,
摘 要 通过自洽求解泊松和薛定谔方程 计算了 和 的电容电压
GaAsInAs InGaAsMOSFET
( ) , 。
特性 并与 的 特性以及 的 测量结果做了比较 研究结
CV SiMOSFET CV GaAsMOSFET CV
, , , 。
果表明 对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体 量子效应非常明显 反型电容显著降低 研究
, , ,
结果还表明 随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加 量子效应更加突出 反型电容进
一步减小。
: ; ; ;
关键字 InGaAs MOSFET 电容电压特性 量子效应
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN306 A 1004-3365201501-0140-05
CaacitanceVoltaeCharacteristicsofInGaAsMOSFET
p g
,
CHENJun HUANGDaming
( , , , , )
StateKe Laborator o ASICandSstem Deartmento Microelectronics FudanUniversit Shanhai201203 P.R.China
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Abstract: ( ) , ,
ThecaacitancevoltaeCV characteristicsofGaAs InAs andInGaAsMOSFETswerecalculated
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