LCMO，LSMO单、双层薄膜的制备和电学性质 - 东南大学学报.PDFVIP

第４０卷第１期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４０ Ｎｏ．１ 　 ２０１０年１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊａｎ．２０１０ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１０．０１．０４１ ＬＣＭＯ，ＬＳＭＯ单、双层薄膜的制备和电学性质 张孝青　陈立立　何光旭　朱　明 （东南大学物理系，南京２１００９６） 摘要：采用脉冲激光沉积法在Ｓｉ衬底上沉积Ｌａ ＣａＭｎＯ，Ｌａ ＳｒＭｎＯ（ｘ＝０２，０５，０８） １－ｘ ｘ ３ １－ｘ ｘ ３ 单钙钛矿锰氧化物单层膜和双层膜．采用ＬＣＲ仪等分析测试手段研究了薄膜异质结的电流 电 压特性．ＩＶ特性曲线表明：单钙钛矿Ｌａ ＣａＭｎＯ／Ｓｉ和Ｌａ ＳｒＭｎＯ／Ｓｉ均表现出了与传统 １－ｘ ｘ ３ １－ｘ ｘ ３ ｐｎ结相似的整流特性，但是Ｌａ ＣａＭｎＯ／Ｓｉ的整流特性要明显优于Ｌａ ＳｒＭｎＯ／Ｓｉ，这可 １－ｘ ｘ ３ １－ｘ ｘ ３ 能是因为Ｌａ ＣａＭｎＯ 同衬底晶格常数更为匹配且Ｓｒ掺杂引起的晶格畸变场势阱更深的缘 １－ｘ ｘ ３ 故．在双层膜结构中可能是由于能带结构的原因，按Ｌａ ＳｒＭｎＯ／Ｌａ ＣａＭｎＯ／Ｓｉ顺序排列 １－ｘ ｘ ３ １－ｘ ｘ ３ ＋ 的异质结相当于ｐｐｎ结构，ＩＶ特性明显类似传统的整流特性，而Ｌａ ＣａＭｎＯ／Ｌａ １－ｘ ｘ ３ １－ｘ ＳｒＭｎＯ／Ｓｉ顺序的异质结相当于ｎｐｎ型，整流特性不明显． ｘ ３ 关键词：脉冲激光沉积法；异质结；整流 中图分类号：Ｏ４６９　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１０）０１０２１８０５ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｓｉｎｇｌｅａｎｄｄｏｕｂｌｅｔｈｉｎｆｉｌｍ ｏｆＬＣＭＯａｎｄＬＳＭＯ ＺｈａｎｇＸｉａｏｑｉｎｇ　ＣｈｅｎＬｉｌｉ　ＨｅＧｕａｎｇｘｕ　ＺｈｕＭｉｎｇ （ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｌａ ＣａＭｎＯ，Ｌａ ＳｒＭｎＯ ｓｉｎｇｌｅａｎｄｄｏｕｂｌｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｐｕｌｓｅｄｌａｓｅｒ １－ｘ ｘ ３ １－ｘ ｘ ３ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＬＤ）ｏｎｔｈｅＳｉ（１００）ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｗｅｒｅｓｔｕｄ ｉｅｄｂｙｔｈｅＬＣＲｍｅｔｅｒ．ＴｈｅＩＶｃｕｒｖｅｓｓｕｇｇｅｓｔｔｈａｔｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｐｒｏｐｅｒｔｙｏｆＬａ ＣａＭｎＯ／Ｓｉａｎｄ １－ｘ ｘ ３ Ｌａ ＳｒＭｎＯ／Ｓｉｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｓｉｓｓｉｍｉｌａｒｔｏｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｐｎｊｕｎｃｔｉｏｎ．Ｈｏｗｅｖｅｒ