SiCP ZL 109 复合材料中SiC 的界面行为 - OALib.PDFVIP

复 合 材 料 学 报 第 17 卷 　第 1 期 　　2 月 　 2000 年 　　　　　　　　　　　　　　　　 A CTA M A T ER IA E COM PO S ITA E S IN ICA V o l. 17 　　N o. 1 　 F eb ru ary 2000 　 ( ) 文章编号: 1000385 1 2000 0 1006506 P 109 复合材料中 的界面行为 SiC ZL SiC 隋贤栋　　罗承萍　　欧阳柳章　　骆灼旋 (华南理工大学 机电工程系, 广州 5 1064 1) 摘　要: 　 以常规 为工具, 研究了 109 复合材料中数十个 颗粒及其界面, 优先在 表面上形 T EM SiCP ZL SiC Si SiC 核、长大, 形成界面 , 并形成大量 界面。靠近 界面的 基体中, 普遍存在一层厚度小于 1 的“亚晶铝 Si SiC Si SiC A l m 带”, 其内有大量位错。 与 、 与 之间虽然没有固定的晶体学位向关系, 但是存在下列优先关系: ( 1103) SiC A l SiC Si SiC ( ) ( ) ( ) 111 , [ 1120 ] [ 110 ] ; 110 1 111 ; [ 1120 ] [ 112 ] 。 A l SiC A l SiC Si SiC Si 关键词: 　 109 复合材料; 界面; 界面; 晶体学位向关系; 界面 ; 亚晶铝带 SiCP ZL SiC A l SiC Si Si 中图分类号: 　TB 33 1; T G 111　　文献标识码: A 　　 SiC PA RT ICL ES A ND THE IR INTERFAC IAL BEHA V IO R 109 IN SiCP ZL COM PO SITES 　　 　　 　　 SU I X ian don g LU O C