SI500D ICPPECVD 应用 - 东方集成.PDFVIP

SI500D ICPPECVD 应用 北京东方中科集成科技股份有限公司 ICPPECVDICPPECVD的特点的特点 等离子体增强化学气相沉积，通过使用PTSA天线实现感 应耦合等离子体应耦合等离子体。 •HighHigh dissociationdissociation 高的电离比率高的电离比率 •High ion density of low energy高密度、低能量离子 •Low ppressure低的工艺压力 •Excellent properties at low temperatures (150°C) 低温下(150°C)优良的特性 •Good uniformity均匀性 低温典型应用低温典型应用 • SiNSiN波导层波导层 （（纳米多孔纳米多孔SiOSiO上上）） • 低损伤沉积（GaAs掺杂上） • 太阳能电池的表面优化太阳能电池的表面优化 • 深硅湿法刻蚀的掩膜制备 •传感器的传感器的SiNSiN隔膜制备隔膜制备 • a-Ge 传感器钝化 • GaAsGaAs或或InPInP HEMTHEMT-ICIC中电容制备中电容制备 • GaAs GaN HEMT钝化 • JosephsonJosephson 集成电路电介质制备集成电路电介质制备 • 有机物上沉积薄膜 SiNSiN薄膜的薄膜的CVDCVD沉积比较沉积比较 工艺工艺 沉积沉积 生长速率生长速率 氢含量氢含量 KOHKOH kk 温度 nm/min （%）刻蚀速率 消光系数 ℃℃ nm/minnm/min (320nm(320nm）） LPCVD 780 3.5 -- 0.05 0.001 PECVD 380 120 20 0.5 0.05-0.1 ICPECVD 130 40 10 0.1 0.005 MEMS Applications HiHighlhly resiistitive agaiinstt KOHKOH ettchh AApplilicatitions SiNSiN沉积中参数关系沉积中参数关系11 SiNSiN沉积中参数关系沉积中参数关系22 有机物表面有机物表面, 8080°CC沉积沉积SiNSiN薄膜薄膜, LIFTLIFT-OFFOFF工艺工艺 左图：MIM capacitor on InP （LIFT-OFF) 右图：有机物上光刻胶 ICPECVD-SiN 研究室太阳能电池效率改善的应用 SiN on nanoporous SiO for photonic bandgap waveguide filter transition layer SiO - SiN with predefined profile SiN waveguide layer without change in the nanoporous cladding layer Low damage SiN deposition on delta doped AlGaAs/InGaAs SiNSiN应力控制应力控制 PENPEN上水汽阻挡层上水汽阻挡层 （（SiNSiN层层))特性特性—水蒸气透过率水蒸气透过率 SiNSiN和和SiOSiO （（130130℃℃沉积沉积））薄膜特性薄膜特性 功能性约翰逊电压标准 JosephsonJosephson VoltageVoltage EtalonsEtalons （（ICPECVDICPECVD）） 相当低的微波损耗80°C SiO2