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失效分析技术简介 失效分析是对电子元器件失效机理、原因的诊断过程，是提高电子元器件可靠性的必由之路。 元器件由设计到生产到应用等各个环节，都有可能失效，从而失效分析贯穿于元器件的整个寿命周期。因此，需要找出其失效产生原因，确定失效模式，并提出纠正措施，防止相同失效模式和失效机理在通个元器件上重复出现，提高元器件的可靠性。 失效分析技术是失效分析说使用的手段和方法，它主要包括六大方面的内容：失效定位技术；样品制备技术；显微分析技术；应力验证技术；电子分析技术；成份分析技术。 失效定位技术 失效定位技术的主要目的是确定检测目标的失效部位，随着现代集成电路及电子元器件的复杂化，失效定位技术就显得尤为重要。 失效定位技术有多种方法，其中无需开封即可进行的无损检测有X-ray，SAM等。X-ray可用于观察元器件及多层印刷电路板的内部结构，内引线开路或短路，粘接缺陷，焊点缺陷，封装裂纹，空洞、桥连、立碑及器件漏装等缺陷。SAM则可观察到材料内部裂纹，分层缺陷，空洞、气泡、空隙等。 若X-ray，SAM不能探测到失效部位，则需要对元器件进行开封处理，而后可进行其他方法的失效定位，如显微检查。 样品制备技术 解决大部分失效分析，都需要采用解剖分析技术，即对样品的剖层分析，它不对观察和测试部分存在破坏。 样品的制备步骤一般包括：打开封装、去钝化层，对于多层结构芯片来说，还要去层间介质。 打开封装可以使用机械开封或化学开封方法。 去钝化层可使用化学腐蚀或等离子体腐蚀（如ICP、RIE）的方法，或FIB等。 显微分析技术 失效原因的分析，失效机理的确定及前文提到的失效定位都要用到显微分析技术。显微分析一般采用各种显微镜，且他们各具优缺点，如景深大成像立体感强的体视显微镜；平面成像效果好颜色突出的金相显微镜；放大倍数高（可达几十万倍）的SEM；制样要求高可观察到晶格结构的TEM；成像精度不高但操作方便的红外显微镜；成像精度较高的光辐射显微镜等，要根据实际情况进行设备和方法的选择。 应力验证技术 电子元器件在不同的环境中可靠性存在差异，如不同湿度、温度下产生的应力，不同电流、电压下产生的电应力等，都会导致电子元器件性能的变化，或失效。因此，可以模拟各种环境参数，来验证元器件在各种应力下的可靠性。 电子分析技术 利用电子进行失效分析的方法很多，如EBT，EPMA，SEM，TEM，AES等。 成份分析技术 需要确定元器件中某部分的成份和组份即需要用到成份分析技术，以判断是否存在污染，或组份是否正确，而影响了元器件的性能。常用设备有EDS，EDAX，AES，SIMS等。 失效分析的过程由分析者的主观能动性开始，首先充分了解失效分析现场，搜集失效经过的信息，判断失效的可能原因与机理，并选择以上描述的失效分析技术中的一项或者多项对猜想给与验证或否定，并实时修改猜想的失效原因与机理，重复验证与否定过程，直至得出结论。 失效分析全过程以分析者的主观判断为基础，辅以各种实验手段，给出所做猜想肯定或否定的证据，并最终得到结论。