Ⅲ族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质.PDFVIP

中国科学: 物理学 力学 天文学 2013 年 第43 卷 第10 期: 1176– 1187 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica SCIENCE CHINA PRESS 北京大学物理百年华诞纪念专刊·评述 Ⅲ族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运 和自旋性质 唐宁, 段俊熙, 张姗, 许福军, 王新强, 沈波* 北京大学物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京 100871 *联系人, E-mail: bshen@ 收稿日期: 2013-07-30; 接受日期: 2013-08-14 国家重点基础研究发展计划(编号: 2012CB619306, 2013CB921901)和国家自然科学基金(批准号: 摘要 Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙, 很强的极化电场, 优异的物理特性, 是发展高频、高温、 高功率电子器件和光电子器件的优选材料. 同时, Ⅲ族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很 高的居里温度, 也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一. 本文介绍了用量子输运和自 旋光电流方法对 GaN 基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展. 对Ⅲ族氮化物半导体中 的能带结构, 子带占据和散射, 自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论. 关键词 宽禁带半导体, 输运, 自旋 PACS: 72.25.-b, 72.40.+w doi: 10.1360/132013-351 1 引言 构中产生面密度高达~1013 cm2 量级的二维电子气 (2DEG)和高达~MV/cm 量级的极化感应电场. 强极 随着信息技术、特别是现代国防电子装备和移动 化效应是 GaN 基半导体材料体系区别于其他半导体 通信等高科技领域的迅猛发展以及器件使用环境的 材料体系的最重要的特点, 相当于在传统的半导体 日益苛刻, 对电子器件的高温、高频、高功率、抗辐 异质结构体系中引入了新的自由度, 导致产生很多 射以及可靠性的要求不断提高, Ⅲ族氮化物(又称 新的性质. 如此高的电子气密度必然引起新的效应, GaN 基)宽禁带半导体以其优异的物理、化学特性成 产生传统的半导体异质结构中不易观察到的物理现 为该领域当前最受瞩目的优选材料体系之一, 也成 象. 结合对 GaN 基异质结构材料参数的改变, 进行 为十多年来国际半导体物理界的主要研究领域之 输运性质及其调控规律研究, 能够对异质界面量子 一[1]. 以Al Ga N/GaN, In Al N/GaN 等异质结构为 x 1x x 1x 阱中的子带结构和占据、子带间散射、自旋轨道相互 代表的 GaN 基异质结构最重要的特点是其异质界面 作用、局域化和负磁阻效应等物理现象进行系统、深 有很大的能带偏移以及极强的极化效应, 在异质结 入的探索, 同时为发展 GaN 基高功率、高温、高频 引用格式: 唐宁, 段俊熙, 张姗, 等. Ⅲ族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质. 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2013, 43: 1176–1187 Tang N, Duan J X, Zhang S, et al. Quantum transport and spin properties of the carriers in III-nitride heter