三菱电机将SiC应用于空调，SiC MOSFET的量产时间提前 三菱电机造 ....DOCVIP

三菱电机将SiC应用于空调，SiC MOSFET的量产时间提前 三菱电机造空调中嵌装的逆变器底板。红色虚线内为封装了SiC-SBD的逆变器模块 　　三菱电机在将于2010年10月下旬推出的空调压缩机用逆变器中，采用了碳化硅（SiC）制造的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）（图1）。三菱电机表示，采用SiC的功率半导体被面向普通消费者的产品采用，尚属“全球首次”。SiC的实用化将从消费类产品开始。?　　此次之所以在消费类产品上采用，是三菱电机将2010年7月刚刚发布的SiC半导体量产期紧急提前的结果。该公司曾表示，SiC-SBD在2010年内将仅限于样品供货，量产要等到2011年。然而，此次该公司称，“福冈、尼崎、静冈营业所的开发成员一致表示‘那样太晚了’，于是首先在空调上嵌装了SiC-SBD”。?　　从节能的角度来说，仅靠导入SiC-SBD，效果是有限的（图2）。“如果仅凭此次的SiC-SBD，逆变器只能减少约15％的耗电量，空调整体只能减少约2％的耗电量”（三菱电机）。要想实现更大的节能效果以及功率模块的大幅小型化，则必需将设备内的功率半导体全都改为SiC。为此，必需实现SiC MOSFET取代IGBT。? 图1：最终，最终产品中嵌装了SiC-SBD照片为在部分逆变器中采用了SiC-SBD的三菱电机空调“雾峰MoveEye MSZ-ZW系列产品”的部分机型。 图2：最初只是将二极管改为SiC造图为空调中采用的逆变器模块内部状况及电路图。IGBT保持不变，将Si二极管改成了SiC-SBD。 　　此次量产期之所以决定提前，目的似乎不在于节能效果，而在于激活SiC产业以及与其他厂商竞争。三菱电机表示，“SiC晶圆目前处于事实上被美国科锐（Cree）所垄断的状态。这导致SiC晶圆的价格居高不下。如果我们先行推进实用化的举动，能够激励起其他SiC晶圆厂商的行动，那么通过竞争，晶圆的价格肯定会急剧下降”。?　　另一方面，日本罗姆已在SiC-SBD的量产方面先发制人。该公司于2010年4月便开始了SiC-SBD的量产。“日本罗姆量产SiC MOSFET指日可待”（某SiC开发相关人士）的传言也强烈刺激了SiC领域的人士。?　　在此背景下，三菱电机宣布将量产期大幅提前的方针，表示要将此前定在2013～2014年度实现SiC MOSFET量产的目标，“希望能够提前2年以上”。三菱电机表现出了寸步不让的姿态：“我们将发挥拥有最终产品的优势，把这场与其他厂商的竞争大战打下去”。