何满龙题目晶体振荡器.PDF

學號：D0386731 姓名：徐孟廷 班級：通訊三乙 指導老師；何滿龍 題目:晶體振盪器、電壓控震盪器 晶體(Crystal)振盪器 設計振盪電路時，若要獲得較佳的頻率穩定度，在設計上就應選用高 Q 值的電路。像具有壓電效應 (Piezoelectric Effect)的晶體，如石英 (Quartz) ，陶瓷(Ceramic)等，因為這些晶體都具有很低的電路損耗，以 及極高且穩定的零件 Q值，因此常用以設計高穩定度的振盪電路。 晶體 (Crystals)為一立體結構，它是具有多種振盪模式的機械式振盪 實體。晶體經由壓電效應的激勵，且因電極片的形狀與裝置安排不同，就 會產生不同的振盪模式。此外，晶體因不同的製造程序，亦可以選擇特定 的振盪模式或高次諧波。圖 (a)所示為晶體的等效電路與阻抗特性圖， 圖中的病聯電容 Cp為電極片裝置所形成的靜態電容，其大小約70pF左右； 串聯電容 Cs 與電感L 與石英晶體的質量及結晶的排列順序有關，一般而 言 Cs的大小約為 0.05pF 左右，L的大小約為 10H 左右；電阻r代表著電 路的耗損，它主要是來自於電極片，晶體支架，內部摩擦及引線等阻抗， 因為晶體的 Q值都非常的高，因此 r的大小約為幾歐姆。 此外由圖 (b)所 示之等效電路，亦可以得知晶體具有並聯與串聯諧振頻率分別為： fs=1 / 2π(L Cs)^1/2 fp=1/2π(LCsCp/(Cs+Cp))^1/2 此外，因為Cp≈140Cs ，所以fs 與fp 兩者相差約0.36% 。 fp≈(1+Cs/2Cp)fs (a)晶體等效電路圖 (b)晶體阻抗特性圖 電壓控制(Voltage Controlled)振盪器 電壓控制振盪器是一個輸出頻率可以隨著電壓而改變的振盪電路，其設 計的概念及方式與 LC回授型振盪器相同，只不過此時電路中所使用的電 容換成了電容值會隨著電壓而改變的變容二極體 (Varactor Diode) 。簡易 的介紹一下變容二極體的工作原理。 (c)變容二極體的電容示意圖 變容二極體 (Varactor Diode)或稱為調諧二極體 (Tuning Diode) ，是 一種在PN街面上加上逆向偏壓時會產生電容變化的二極體；當逆向偏壓 增加時空乏區將變寬，而導致其電容量下降，但是逆向偏壓降低時空乏區 將變窄，而導致其電容上升。當跨在變容二極體上的是一個交流信號時， 此時變容二極體的電容量將會隨著交流信號振福的大小改變。 當變容二極體不佳偏壓時，因 PN 接面少數載子濃度不同，將會照程數 數載子擴散而形成空乏區；靠近 P型之空乏區帶負電，而靠近 N型之空乏 區帶正電。平行板電容的電容量可由下式計算： C= εA/d 其中 ε = 11.8 ε0(矽的介電常數 ) ε0 = 8.85 X A ：電容之截面積 d ：空乏區寬度 當逆向偏壓增加時，空乏區寬度 d 將增加，而其截面積A 不變，所以 逆偏壓增加時電容量會降低；反之，逆偏壓減小時電容量會增加。 變容二極體正常工作時，可以用一個電容串接一個電阻來等效，如圖 (a)(b)所示。