2.7场效应管放大电路0.pptVIP

P N+ S G N+ iD0 D – + + – ② 当uGD=UT时 uDS 沟道 在漏极端夹断 (b) 管子 预夹断 (a) iD达到 最大值 即uGS-uDS=UT时, 当UDS大于一定值后， SiO2层上的有效栅压小于形成反型层所需的门限电压，则靠近漏端的反型层厚度减为零，出现沟道夹断， iD将不再随UDS的增大而增大，趋于一饱和值。 2、漏源电压uDS的控制作用 P N+ S G N+ iD0 D – + + – ③ 当uDS进一步增大 (a) iD达到 最大值且恒定 uDS 沟道夹断区延长 场效应管是利用栅极与源极之间的电压控制漏源电流的元件。 栅极通过氧化物或绝缘体与沟道隔离，∴栅极与衬底之间没有电流，即iG=0 2、漏源电压uDS的控制作用 2、漏源电压uDS的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，漏源电压uDS对漏极电流ID的影响。 （a）uds=0时， id=0。 （b）uds ↑→id↑； 同时沟道靠漏区变窄。 （c）当uds增加到使ugd=UT时， 沟道靠漏区夹断，称为预夹断。 （d）uds再增加，预夹断区 加长， uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本不变。 动画2-5 G S D 电路符号 虚线表示沟道在施加外电压后才形成←增强型 箭头朝里表示N沟道； 三、增强型MOS场效应管的伏安特性 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 1、输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const i (V) (mA) D DS u GS =6V u u =5V GS =4V u GS u =3V GS （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 夹断区 击穿区 三、增强型MOS场效应管的伏安特性 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 1、输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const i (V) (mA) D DS u GS =6V u u =5V GS =4V u GS u =3V GS （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 夹断区 击穿区 与JFET相比，两者结构不同，产生沟道的方式不同。但都是利用沟道导电，且外特性都表现为栅源电压控制漏极电流。 2、转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： i (mA) D GS =6V u u =5V GS =4V u GS u =3V GS u DS (V) D i (mA) 10V 1 2 3 4 1 4 3 2 (V) u GS 2 4 6 UGS(th) （当UGSUGS(th)时） 其中IDO为当uGS=2UGS(th)时的iD值 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 1 (mA) DS u =6V =3V u u GS (V) 1 D 6 2 4 i 4 3 =5V (mA) 2 4 3 i D GS 2 10V (V) △ u GS i △ D GS u △ i △ D N沟道增强型MOS场效应管正常放大时各电极电压极性 g、s间为正偏压（g为高电位、s为低电位） d、s间为正偏压（d为高电位、s为低电位） P沟道增强型MOS场效应管正常放大时各电极电压极性 g、s间为反偏压（g为低电位、s为高电位） d、s间为反偏压（d为低电位、s为高电位） 四、耗尽型MOS场效应管 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 1 GS u 0 1 D (V) -1 2 -2 (mA) 4 3 2 i 4 2 v u 3 10V =+2V 1 DS GS D (mA) i = -1V