应用於压电微力感测器之锆钛酸铅薄膜制备-NationalKaohsiung.PDF

工程科技與教育學刊 第四卷 第一期 民國九十六年三月 第 102 ～111 頁 應用於壓電微力感測器之鋯鈦酸鉛薄膜製備 蔡怡迦* 、林昭文** 國立高雄應用科技大學 機械工程系 E-mail : *1094313147@cc.kuas.edu.tw; **daniel@cc.kuas.edu.tw 摘 要 本文的目的是以射頻磁控濺鍍法在 Pt / Ti / SiO2 / Si 基板上沉積鋯鈦酸鉛（lead zirconate titanate, PZT ），在不同的製備條件對其電性、物性作分析以期能得到具有優良壓電性質之PZT 壓電薄膜。在物性分析方面，將藉由 SEM 來觀察退火完成後之表面型態及橫斷面；由 EDS 作定量之成分分析，由 XRD 分析其結晶性。在電性分析分面，使用 RT-6000 鐵電性質量測系 統量測 PZT 薄膜 P-E curve 。 由實驗結果得知，在濺鍍參數條件下，PZT 薄膜經過快速熱退火（RTA ）600℃持溫 30 分鐘處理後，其鐵電性質，殘餘極化量（remanent polarization, Pr ）為 3.0 μC/cm2 、矯頑電場 （coercive field, Ec ）為 14.05kV/cm 。 關鍵詞：PZT 薄膜、射頻磁控濺鍍法。 1. 前言 PZT 因其擁有優異的鐵電性質及壓電性質，已廣泛的應用於鐵電記憶元件（DRAM 、 NVRAM ）；在微機電方面則有換能器（Transduser ）、感測器（Sensor ）[1, 2] 、制動器（Actuator ） [3]表面聲波元件（SAW ）[4]等應用。相較於傳統 ZnO 、AlN 等材料，PZT 薄膜具有更高的機 電偶合性、高反應速率、低啟動電壓的特性使其更適用於壓電元件應用。 PZT 壓電陶瓷的應用已經隨著微機電和微電子的快速發展下開始嶄露頭角，所以其相關 的製備技術也日益精進中，而目前以製備 PZT 薄膜的技術方面，主要可以區分為下列幾類雷 射剝鍍法（laser ablation ）[5] 、溶凝膠法（sol-gel ）[6] 、有機金屬堆積鍍著法（metallo organic decomposition, MOD ）[7] 、化學氣相沉積法（chemical vapor deposition, CVD ）、物理氣相沉積 法（physical vapor deposition, PVD ）[8][9][10]等。上述各種製備方式均有其優缺點，如雷射 剝鍍法無法大面積的均勻沉積薄膜；溶凝膠法製備之薄膜會因水解、焦化之過程造成薄膜體 Received : Mar. 20, 2007 ©2007 National Kaohsiung University of Applied Sciences, ISSN 1813-3851 Accepted : Mar. 28, 2007 應用於壓電微力感測器之鋯鈦酸鉛薄膜製備 103 積大量收縮在表面形成孔洞，進而影響其 表面粗糙度；而屬於物理氣象沉積之濺鍍法 （Sputtering ）因其沈積之薄膜均勻度、緻密性良好加上技術成熟度高，基於這些理由，本研 究將採用磁控射頻濺鍍法來製備所需之薄膜，沉積完成之薄膜將進行快速升溫退火（rapid thermal annealing, RTA ）處裡來得到完全鈣鈦礦結晶之薄膜，並對其做電性及物性之量測與分 析。 2. PZT 壓電陶瓷 2.1 壓電性 壓電性（piezoelectrics ）為一種機電能量互換的現象，此一現象最早是在 1880 年由 Pierre Curie 及 Jacques Curie 兄弟所發現。他們發現若對電氣石（tourmaline ）施加一機械壓力 （mechanical stress ），將可在其表面得到電荷。此一物質機械變形所產生的電極化（elec