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第2章 电力电子器件;电子技术的基础 ——— 电子器件：晶体管和集成电路 电力电子电路的基础 ——— 电力电子器件 本章主要内容： 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。;2.2.1 电力电子器件的概念和特征 2.2.2 应用电力电子器件的系统组成 2.2.3 电力电子器件的分类 2.2.4 本章内容和学习要点 ;1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空器件) 半导体器件 (采用的主要材料硅）然; 能处理电功率的大小，即承受电压和电流的能力，是最重要的参数。一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。不仅在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器。 ;通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。;电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。; 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。; 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 电压驱动型 ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。; 脉冲触发型 ——通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。 电平控制型 ——必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定的电平信号来使器件维持在导通或者关断的控制。; 单极型器件（肖特基二极管、电力MOSFET等） ——由一种载流子参与导电的器件。 双极型器件（电力二极管、晶闸管、GTO、GTR等） ——由电子和空穴两种载流子参与导电的器件。 复合型器件 ——由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件 。;本章内容: 介绍各种器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 学习要点: 最重要的是掌握其基本特性。 掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和特性曲线的使用方法。详细使用时查手册、说明书。 可能会对同一主电路其它电路元件有特殊的要求。;2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型; Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。;基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。;N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。;电力二极管承受高电压、大电流的因素： 垂直导电结构 使得硅片中通过电流的有效面积增大，提高通流能力 低掺杂N区 使得电力二极管的结构形成P-i-N结构，由于掺杂浓度低，可以承受很高的电压而不被击穿。; PN结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是低掺杂区的电阻，其阻值较高且为常数。因而管压降随正向电流的上升而增加； PN结上流过的正向电流较大时，为了维持电中性的条件，电阻率下降，电导率大大增加，即电导调制效应。 电导调制效应使得电力二极管在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置时表现为低阻态。; 状态参数; PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。 电容影响PN结的工