电子与材料200202p105何继勋 单电子电晶体.doc.DOCVIP

SET (Single Electron Transistor) (單電子電晶體)●【尚未研讀完畢】 SET (Single Electron Transistor) (單電子電晶體)● 1 (A) 前言 1 (B) SET的工作原理 2 (1) SET的元件結構 2 ◆圖一﹕SET 的元件結構示意圖 2 (2) SET的電流特性 2 ◆圖二﹕SET 電流的特性圖 2 (3) SET 的能階及電子穿隧 3 ◆圖三﹕SET 的能階及電子穿隧 3 (C) SET 的發展與應用 3 (1) 整體概況 3 ◆表一﹕國內外在SET 方面的研究狀況 3 (2) 元件製程 4 1. NTT的PADOX 與VPADOX製程﹐也用SET 做出CCD 4 2. Toshiba的NOR 與AND 4 (3) 應用方面 4 (D) SET 所遭遇的困難 4 (1) 操作溫度 4 (2) 背景電荷(Background Charge) 5 ◆圖四﹕SET 導通程度對閘極電壓的關係 5 (3) 特徵電阻 5 (4) 其他因素 6 (E) 結論 6 (F) 參考文獻 6 前言 現今半導體技術的主流為CMOS。但隨著元件尺寸的縮小且密度的提高﹐一些非理想性的因素也隨之出現(例如﹕高密度所造成的高功率消耗、短通道所造成的高電場、薄氧化層所造成的漏電流以及量子效應…等●)﹐但是最重要的問題應該是製程的複雜度與費用隨著元件的縮小而急遽增高﹐另外製程技術隨著CMOS 技術的發展也向前邁進而得以利用先進的製程技術來開發新的元件﹐以不同的元件結構來克服CMOS 所面臨的難題﹐其中SET (Single Electron Transistor) (單電子電晶體)就在這個情況下開始發展。 SET主要是利用庫倫阻斷(Coulomb Blockade)、穿隧(Tunneling)…等的量子效應來操作﹐(與現有傳統的CMOS元件相比)具有Low Power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy …等的特性﹐被歐洲的IST (Information Society Technologies)選為新興的奈米元件(Nano Device)之一而可見其重要性﹐另外自1988 年K. K. Likharev (State University of New York) 建立理論基礎以來投入SET 研究的人力日漸增多﹐所以其應用潛力也日漸增加。 SET的工作原理 SET的元件結構 要了解SET的優缺點就需要了解其工作原理。圖◆一為SET的元件結構示意圖。SET 的結構與CMOS 類似﹕具有源極(Source; S)、汲極(Drain; D)、閘極(Gate; G)﹔其中閘極是用來控制SET 的導通程度﹐而源極與汲極則是電流流通的路徑。 不同的是SET 用Island 與Tunneling Barrier 取代CMOS 的Channel與Junction﹕Island 可以儲存電荷﹐而Tunneling Barrier則為薄絕緣層﹔一方面可以使Island 絕緣﹐另一方面則薄到可使電子穿隧而過﹐這兩者造就了SET獨特的導通特性。 ◆圖一﹕SET 的元件結構示意圖 Source: .tw (2002/02) SET的電流特性 與周圍電極絕緣的Island可視為一個電容(其值為C)﹐電容上的電荷可以分成兩個部分﹕一為閘極電壓所引起的電荷(Qg)(此極化電荷可為任何實數)﹐另一為經由Tunneling Barrier所進來的電子(此電荷為電子電荷的整數倍)(≒ne﹐n 為整數)﹐所以Island 上的電荷為Q=Qg+ne●。 由電磁學得知﹐對電容充電後其上的能量為W=Q2 /2C ﹐當改變閘極電壓後Qg 就會改變﹐也就會改變W﹔然而系統的能量一定是往最低的狀態移動﹐所以﹕ ?當Qg 變化到|Q| e/2 時就會引發電子的穿隧來降低電荷Q 及系統的能量W ﹐因此SET 的電流就隨閘極電壓做週期性的變化(週期為e/Cg) (Cg≒閘極對Island 的電容)。 ?當|Q| e/2 時沒有電子穿隧(也就沒有電流)﹐此時稱為庫倫阻斷(其電流對電荷的關係如下圖◆所示)。 ◆圖二﹕SET 電流的特性圖 Source: .tw (2002/02) SET 的能階及電子穿隧 電流週期性的變化固然使人感興趣﹐但庫倫阻斷效應則是SET 特有無法忽略的性質。 所謂庫倫阻斷就是當有一個電子存在時﹐其上的電荷會排斥其他電子接近﹐這個特性確保在SET 操作時一次只有一個電子穿隧而過﹐其特性可從能階圖如下圖◆所示﹕ ?當V1≧de/2C 時則發生電子穿隧以降低系統之能量。 ?當電子進入Island 後會使Island 的能階往上提昇(V=e/C)﹐因而阻擋了電